MUR1560G
ON(安森美)
直插型
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
大功率
高频
企业名:深圳市凌云微科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
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∟ 肖特基二极管(17)
安森美MUR1560G规格:
产品类型:肖特基管
结构:点接触型
材料:锗(Ge)
封装形式:直插型
封装材料:塑料封装
功率特性:大功率
频率特性:高频
发光颜色:电压控制
LED封装:无色透明封装(T)
出光面特征:方形
发光强度角分布:高指向性
正向直流电流IF:15(A)
反向电压:600(V)
肖特基二极管优点
SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,仅约100V,以致于限制了其应用范围。
像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。
即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。
近几年,SBD已取得了突破性的进展,150V和 200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功,从而为其应用注入了新的生机与活力。
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