F*226硅*频低噪声晶体管是一种基于N型外延层的晶体管,具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。*主要应用F*226主要用于VHF、UHF低电压低噪声放大器。*主要特性高增益:︱S21︱2典型值为9dB @f=1GHz、Vce=3V、Iceo=7mA低躁声: NF典型值为1.5dB @f=1GHz、Vce=3V、Iceo=7mA特征频率: fT典型值为4.5GHz @Vce=3V、Ic=7mA **限工作条件范围(T=25℃)：集电*基*击穿电压VCBO 20 V集电*发射*击穿电压VCEO 12 V发射*基*击穿电压VEBO 3 V集电*电流IC 100 mA功耗PC 150 mW结温度Tj 150℃存储温度Tstg -65~ 150℃*HFE规格等级G R S标号R23 R24 R25 HFE 50-100 80- *电学特性(T=25℃)集电*基*击穿电压BVCBO 20V集电*基*漏电流ICBO 0.1 uA发射*基*电流IEBO 1.0 uA直流增益HFE 50-300特征频率fT 4.5 GHz输出反馈电容Cre 1.0 pF功率增

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