FNK3401|MOSFET适合用于作为负载开关

型号/规格：
FNK3401
品牌/商标：
FNK
封装形式：
SOT-23
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装

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产品分类

场效应管MOSFET(18)
∟ MOSFET(17)∟ 结型场效应管(1)
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商品信息

　　乾野电子的产品注重发展大功率器件、功率模块和集成器件、压电陀螺仪；性能与可靠性超越同行；应用偏向高端；注重品牌和信誉。

　　P沟道增强模式功率MOSFET的描述
　　3401采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V.这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。

　　一般特点
　　●VDS=30V,ID=4.2A
　　RDS（ON）<130mΩ@ VGS=-2.5V
　　RDS（ON）的75mΩ@ VGS=-4.5V
　　RDS（ON）<55mΩ@ VGS=-10V
　　●高功率和电流移交能力
　　●无铅产品
　　●表面贴装封装

　　应用
　　●PWM应用
　　●负荷开关
　　●电源管理

　　MOSFET的概述
　　从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表"metal"的个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，随后MOSFET栅极使用多晶硅取代了金属。在处理器中，多晶硅栅已经不是主流技术，从英特尔采用45纳米线宽的P1266处理器开始，栅极开始重新使用金属。
　　MOSFET在概念上属于"绝缘栅极场效晶体管"（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET.

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