本设备在一般的硅整流设备上，增加了斩波部分，采用单片机控制和*的IGBT功率元件。具有脉冲周期和占空比调节范围大，脉冲沿上升和下降快等特点。适合于电镀贵金属用。具有镀层结晶细密、均匀节省贵金属等效果。

一.主要技术指标

T=Ton+Toff
占空比K=Toff/T

1.t=200us—200ms
2.K=0.01—0.99当T小于2000us,K值的调节范围会逐步减小
3.3max10A-1500A
4.Umax2V—48V

二．使用与调节

1.面板上有周期和占空比的数字显示，并有对应的文字标记，另有一个指示灯，灯亮时表示周期的单位是“ms”,不亮时表示为“us”。开启电源或复位时，T-100msK=0.5
2.四个轻触键分别调节周期和占空比的上升和下降，调整期向会停止输出。调整时应选调节周期再调占空比，调周期时会影响占空比，但调占空比不影响周期。

三.使用注意事项

1.周期太长时（大于50ms），电流表会抖动，为正常现象。
2.周期很长时（大于800ms），电流表会跟随脉冲动作，此时指示的电流为峰值电流。
3.周期较短时（小于30ms）缌鞅碇荒芊从称骄缌鳌４耸比?/SPAN>K值调很小的话可能会出现平均电流虽小，而峰值电流很大的情况，此时设备可能不会保护，但对设备和工件都可能损害，甚至损坏设备或工作。所以，在K值很小时，不能让电流太大。
4.当周期较长时，占空比K值可以小于0.01，此时会显示0，但实际还是有脉冲输出。

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