前，现*业和家电设计师面临着日益*的压力，他们要减小设备的体积，减少所用的元器件数量，同时还要改进系统总的性能和*性。与此同时，价格和上市时间方面还要求上述获益不能太多地增加成本和项目开发周期。目前，*新的高压IC(HVIC)技术正在帮助设计师解决这些问题，其方法是利用基于逆变器的调速电机驱动解决方案，这些方案在上述这些应用中正日益增加。此外，这种技术同样也能使通用变换电路、开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)这类的应用获益。

变速驱动需求

变速电机驱动为家电、工业和商用这类设备(如空调)带来许多好处。这些好处包括*了能量效率，改进了*性，减小了震动，减小了电器噪音等。目前，归功于从功率半导体技术到器件(如IGBT和功率MOSFET)取得的进展，以*率和具有成本效益地实现上述变速驱动已经不成问题。设计中的一个关键问题是，如何保护所用的IGBT和MOSFET免于遭到短路、过流以及接地不良所造成的损坏。

在这些设计中，逆变器和电机相电流的传感是一个关键要求，因为它是电流模式控制和过流保护的基础。前者要求*和高线性度，而后者则要求响应快。实际上，可以通过与DC总线的正负*、IGBT的相臂或电机的相线抽头相串联的方式来提取电流信号(图1)。要提取的信号还有基本变频电机电流的脉冲宽度调制包络(以固定载频)。因此，需要采用相当复杂的采样保持外加数字信号处理的电路来提取具有高线性度和*的有用电流信息。

在单个的IGBT相臂上获取的采样电流比较容易处理，但需要涉及到载波频率采样。迄今为止，*为简单的可用电流信号来自电机的相线抽头。信号所包含的只有基本的变频电机电流。这里*复杂的是，幅度*为毫伏级的弱差分信号浮在电压*600V到1200V共模电压上面。此外，由于IGBT逆变相位的影响，共模电压的摆幅将从-DC到+DC，摆率*10V/ns。

高压IC技术

目前，高压IC技术取得的进展使得设计师能够采用优良的、节省空间的和元器件较少的方案，这些方案解决了*驱动设计中所需的保护问题和电流传感问题。例如，IR公司所属的HVIC技术，制造时，将一个低端接地的CMOS电路与一个高端浮动的CMOS横靠在一起，中间用一个N或P沟道LDMOS区隔离(图2)。LDMOS的任务是执行电平转移，即将控制信号传过位于低端和高端电路之间的高压栅。这样做的结果是将MOSFET和IGBT的驱动和保护电路集成到了一个单芯片中。同时，该HVIC技术还实现了浮动在大共模电压的弱小差分电压的传感，即便是包含有快速的瞬变。因此，该HVIC技术是制造高压传感接口IC的理想基础。

IR公司利用自己的这项技术，开发了一系列不同的、*和高压IGBT控制IC和传感IC，使得小小芯片具备完善的保护功能。这些IC提供了一系列复杂的保护功能，包括接地不良保护，而该功能曾经只有在高端系统中才具备。除了这些*的功能外，相对于分离的光耦或变压器解决方案，这些IC具有高噪声免疫性能，元器件数量降低了30%，占位面积则减小了一半。因而，设计师可以将PCB面积减少到50%。

图1。用于提取电流信号的电流传感方法。