一、InGaAsAPD/PIN光电探测器：

1、InGaAsAPD光电探测器：（900nm-1700nm）高质量陶瓷以及光纤封装。典型应用于通信，数*输，人眼*激光测距机等。
型号：C30644E、C30645E、C30733、C30662E

2、InGaAsPIN(小面积)光电探测器：（900nm-1700nm）高质量陶瓷以及光纤封装。典型应用于通信，数*输，仪表等。
型号：C30616E、C30637E

3、InGaAsPIN(大面积)光电探测器：（900nm-1700nm）高质量窗口以及光纤封装。典型应用于光功率表，人眼*激光通信，仪表等。
型号：C30619G、C30641G、C30665G、C30723G

4、InGaAsPIN(大面积）扩展波长光电探测器：（1um-2.5um)高质量陶瓷封装，提供不带制冷器、制冷器和二级制冷器三种封装的产品。典型应用于非破坏性检查，水汽测量，生物化学应用，环境监控等，需要相关资料，请咨询。

二、SiliconAPD光电探测器：

1、SiliconAPD标准雪崩管：（400nm-1100nm）密封陶瓷封装。典型应用于荧光探测，小信号快速探测，LIDAR，光子计数，数*输，仪表，自适应光学，共焦微透镜等。
型号：C30817E、C30872E、C30902E、C30916E

2、SiliconAPD光电探测器阵列：（400nm-1100nm）密封陶瓷封装。典型应用于LIDAR，分光镜，粒子探测，自适应光学，跟踪系统等。
型号：四象限阵列C30927E、线性阵列C30985E

3、SiliconAPD*格光电探测器：（400nm-1100nm）大量，*格探测器。典型应用于激光测距，*碰撞系统等。
型号：低增益C30724、高增益C30737E

4、SiliconAPD热电致能型光电探测器：（400nm-1100nm）带或者两级热电致冷器，冷却APD，减少小信号探测时的热噪声，内部集成的热电阻用来温度监控以及致冷器控制。典型应用于小信号荧光探测，光子计数，快速或者微弱信号探测，自适应光学等。型号：C30902S-TC,C30902S-DTC

5、SiliconAPD近红外增强型（1.064um）光电探测器：密封陶瓷封装。典型应用于LIDAR，红外激光测距，荧光探测，快速或者小信号探测。
型号：C30954E，C30955E，C30956E

6、SiliconAPD光纤耦合型光电探测器：光纤耦合封装。典型应用于光纤数*输，远程光传感器，小信号探测等。
型号：C30921

7、SiliconAPD辐射探测器：大光敏面积，平板封装。典型应用于直接探测光，x-Rays,电子的辐射。
型号：C30626，C30703

三、SiliconPIN光电探测器：

1、SiliconPIN窗口以及光纤封装光电探测器：（400nm-1100nm）*，P型设计。典型应用于快速激光脉冲探测，光纤通讯，仪表等。
型号：C30971

2、SiliconPIN大面积光电探测器：（400nm-1100nm）高质量，*度，N型设计，密封陶瓷封装。典型应用于激光探测系统，快速脉冲探测，仪表等。
型号：FFD-100、FFD-200

3、SiliconPIN四象限光电探测器：（220nm-1100nm）N型设计，密封陶瓷封装。典型应用于光斑位置跟踪，测量脉冲激光或者连续激光x-轴和y-轴的方向。
型号：C30845E、UV-140BQ-4、YAG-444-4A

4、SiliconPIN标准N型光电探测器：（400nm-1100nm）密封陶瓷封装。典型应用于激光探测系统，光度计，数*输，仪表等。
型号：C30807E、C30808E、C30822E、C30809E、C30810E

5、SiliconPIN紫外增强型光电探测器：（220nm-1100nm）低噪声，标准N型设计，密封陶瓷封装。典型应用于紫外光表，可见光表，光度计，荧光探测，分光镜，微光探测传感器，仪表等。
型号：UV-040BQ、UV-100BQ、UV-215BQ、UV-140BQ

6、Silicon/Silicon双色光电探测器：（400nm-1100nm），DTC系列包括两个探测器，密封陶瓷封装。典型应用于双波长功率表，双色温度测量等。
型号：DTC140

7、SiliconPIN表面贴装光电探测器：CFD10、CR10DE、CR50DE、SR10BP、SR10BP-B6、SiliconPIN低带宽（1kHz-50kHz）光电探测模块：（220nm-1100nm）密封陶瓷封装。典型应用于紫外信号探测，光度计等。
型号：HUV-2000B、HUV-1100BG

8、窄光谱响应光电探测器SR10SPD系列，不需要额外的滤波器，表面贴装。
型号：SR10SPD 470-0.9 ( 470nm中心波长）、SR10SPD 525-0.9 ( 525nm中心波长）、SR10SPD 880-0.9 ( 880nm中心波长）

9、SiliconPIN/APD高带宽（40MHz-100MHz）光电探测模块：（400nm-1100nm）密封陶瓷封装。典型应用于激光信号探测，仪表等。
型号：C30608E、C30950E、C30919E

10、Silicon/InGaAs APD高带宽（50MHz-200MHz）光电探测模块：（400nm-1700nm）密封陶瓷封装。典型应用于激光信号探测，仪表等。
型号：C30659-900-R5B、C30659-900-R8A、C30659-1060-R8B、C3A、C30659-1550-R08B、C30659-1550-R2（C30659E-CD2982）

四、SiliconPN硅光电池:

　　VTB系列紫外增强硅光电池（190nm-1100nm），增强光谱从UV(190nm)－NearIR(900nm），高阻*，低噪声，低暗电流，适合光电型、弱信号探测应用。*探测面积从1.6mm²— 37.7mm²。封装型式包括TO-46、TO-18、TO-5、TO-8封装，石英和紫外窗口陶瓷封装。典型应用：紫外、可见、红外分光光度计、生化分析仪、验钞机、紫外曝光表、紫外水质净化、荧光探测，以及其它分光镜应用。

        VTP系列，VTS系列硅光电池探测器，*格，*好的光电流线性，快速响应时间，探测可见光以及近红外光源，例如LED，氖灯，荧光灯，NIR激光管，火焰，阳光以及其它光源。典型应用：NIR传感器，*红外传感器，红外*设备，工业用红外传感器，红外接近传感器，红外激光探测器。

        VTA系列硅光电池探测器阵列，64单元。

五、波长传感器（450－900nm），可准确检测确定单色激光或者LEDS光源的单色光的波长，与其他同类产品不同的是，其输出不受所测光线强度的影响，光谱分辨率：0.01nm。

六、红外光电探测器(探测器类型Silicon-Germanium-InGaAs-exInGaAs-InAs-InSb-PbS-PbSe-HgCdTe)，能够灵敏探测在0.2-40+microns波长范围内的红外光,以其在长波长方面的高灵敏度和快速探测，具有*的优势。这些探测器工作在室温或者TE-Cooled情况下，各种TO类型封装。典型应用：脉冲、调制和连续CO2激光辐射探测和监控，外差式检波探测，2to12µm低频和高频调制辐射探测，激光测量，激光预警接收器，激光雷达、激光测距和激光通讯，追踪、定位系统，行扫描仪，快速多色高温计，红外分光光度计，热成像扫描仪，遥感，气体分析，火焰探测器，人体探测等。

　　如果需要硅（Si）、锗（Ge）、铟稼砷（InGaAs）、硫化铅（PbS）、硒化铅(PbSe)、锑镉汞(HgCdTe)等探测器的相关资料，请*联系！