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贴片场效应三极管

(共找到“14”条查询结果)
企业类型:不限工厂贸易
  • 型号/规格:

    SI2302

  • 品牌/商标:

    JCST(长电)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 型号/规格:

    全系列

  • 品牌/商标:

    JCST(长电)

  • 封装形式:

    全系列

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    2SK508

  • 品牌/商标:

    NEC

  • 封装形式:

    SOT23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    2SK3018

  • 品牌/商标:

    ROHM

  • 封装形式:

    S0T-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    IRLR7843

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    SI2302

  • 品牌/商标:

    JCST(长电)

  • 封装形式:

    贴片S0T23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    SI2302

  • 品牌/商标:

    Vishay(威世)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFR9120/FR9120

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    AO

  • 型号/规格:

    AO3401

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

    品牌:ROHM 型号:2SK3018 封装:SOT23(323) 极限电压:30(V) 极限电流:0.1(A) 用途:开关,信号放大 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道 应用范围:功率供应ROHM贴片场效应三极管2SK3018

      品牌:SLT 型号:1N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:4(V) 最大漏极电流:4000(mA) 最大耗散功率:3000(mW)我...

      • 品牌/型号:

        IR/IRLR024N

      • 特色标志:

        低价

      • 封装:

        TO-252/DPAK

      • 极限电压:

        55(V)

      • 极限电流:

        17(A)

      • 种类:

        绝缘栅MOSFET

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 是否提供加工定制:

      • 产品类型:

        稳压管

      • 是否进口:

      • 品牌/商标:

        IR/国际整流器

      • 型号/规格:

        IRLML6401

      • 材料:

        锗(Ge)

      • 主要参数:

        0

      • 用途:

        0

      • 品牌/商标:

        SLT

      • 型号/规格:

        1N60

      • 种类:

        绝缘栅(MOSFET)

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 导电方式:

        增强型

      • 用途:

        L/功率放大

      • 封装外形:

        P-DIT/塑料双列直插

      • 材料:

        GE-N-FET锗N沟道

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