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仙童场效应

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源头工厂
  • 型号/规格:

    FQP2N60C

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    全系列

  • 品牌/商标:

    仙童

  • 封装形式:

    SOP

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    24N50

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

品牌/型号:FAIRCHILD/仙童/FQA24N50 功率:TO-3P 类型:驱动IC 驱动芯片类型:TO-3P 型号:FQA24N50 批号:新年份 品牌:FAIRCHILD/仙童 针脚数:TO-3P 封装:TO-3P 代理进口松下(NAIS)欧姆龙(OMRON)NEC,高见泽(...

  • 型号/规格:

    全系列

  • 品牌/商标:

    仙童

  • 封装形式:

    直插

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    SGL160N60UFDTU

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    IRF4905

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    FOPF8N60C

  • 品牌/商标:

    FSC

  • 封装形式:

    DIP

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    FDPF5N60NZ

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    FDD6692,MOS,30V,54A FDD6696,MOS,30V,50A,0.008Ω,252

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    3(V)

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    FQD60N03

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MIX/混频

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    FDN353 FDN355 FDN337 FDN336 FDG6331 FDG6332 FDN301 FDC6320 FDC6321 FDG314 FDG315

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    DC/直流

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    FQPF8N80C

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

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