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东芝MOS管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    TK50E06K3

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA

型号:TK50E06K3 品牌:TOSHIBA 封装: TO220 批号: 11+ 数量:50000 备注:全新原装现货,以优势说话!! TK50E06K3在60v-100v的MOSFET系列中增加了标准T0-220封装的六个新型号,它们通过沟道技术的第四代工艺加工而...

  • 型号/规格:

    2SK3569

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220FP-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    TK8P25DA

  • 品牌/商标:

    东芝

日本东芝MOS管产品是北京卓尔力欣公司专业代理产品之一,北京卓尔力欣公司对于所有销售出去的产品提供安装、调试、培训及其他服务工作。 东芝MOS管产品详细; 数据列表 TK13A60D MosfetsProdGuide 产品相片 TO-220AB...

  • 型号/规格:

    TK12A60U

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK4107(F,T)

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形:

    SP/特殊外形

  • 材料:

    IGBT绝缘栅比极

  • 型号/规格:

    TK4A60D

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220SIS

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    2SK3565

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    Toshiba/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    TK6A60D

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MAP/匹配对管

  • 封装外形:

    SP/特殊外形

  • 材料:

    SIT静电感应

  • 品牌/商标:

    UTC/友顺

  • 型号/规格:

    4N70L

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道,N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 属性:

    HV MOS

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    东芝原装进口 开关电源场效应管 2SK2962

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2N7002

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    MES金属半导体

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    TK20A60U

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    品牌:TOS日本东芝 型号:2SK2698 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:600(V) 最大漏极电流:10(mA)高速,高电压开关应用N...

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 型号/规格:

      2N60L

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 用途:

      V-FET/V型槽MOS

    • 品牌/商标:

      BGS

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 导电方式:

      增强型

    • 型号/规格:

      2SK2962

    • 品牌/商标:

      TOSHIBA(东芝)

    • 封装形式:

      TO-92MOD

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      盒带编带包装

    • 功率特征:

      大功率

      产品类型 调制二极管 品牌/商标 东芝 型号/规格 2SK3265 结构 点接触型 封装形式 直插型 发光颜色 双色 LED封装 有色透明(C) 出光面特征 侧向管 发光强度角分布 散射型 正向直流电流IF 00(A) 最高反向电压 00(V)

        品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK3265 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 700(V) 部件型号2SK3265 极性N沟...

        • 封装外形:

          P-DIT/塑料双列直插

        • 型号/规格:

          2SK2608

        • 材料:

          N-FET硅N沟道

        • 用途:

          SW-REG/开关电源

        • 品牌/商标:

          TOSHIBA/东芝

        • 沟道类型:

          N沟道

        • 种类:

          绝缘栅(MOSFET)

        • 导电方式:

          耗尽型

        • 品牌/型号:

          TOS日本东芝/2SK2611

        • 种类:

          结型JFET

        • 用途:

          DC/直流

        • 封装外形:

          CER-DIP/陶瓷直插

        • 材料:

          ALGaAS铝镓砷

        • 开启电压:

          0(V)

        • 夹断电压:

          0(V)

        • 跨导:

          0(μS)

          品牌/商标 TDK 型号/规格 2SK2837 应用范围 放大 功率特性 大功率 频率特性 超高频 极性 PNP型 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 500(MHz) 集电极最大允许电流ICM 500(A) ...

          电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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