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东芝场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    2SK364-GR

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • VGDS:

    -40V

  • IGSS:

    -10nA(MAX)

  • VGS:

    -30V

  • RDS:

    50欧

  • IDss:

    5毫安

  • 品牌:

    东芝

  • 型号:

    2SK3878

  • 封装:

    TO-3P

  • 批号:

    16

  • 型号/规格:

    2SK3878,K3878

  • 品牌/商标:

    TOS

  • 封装形式:

    TO-3P

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 型号/规格:

    2SK2837

  • 品牌/商标:

    TOS东芝

  • 封装形式:

    TO-*

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    TK14G65W5

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-262-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 深圳荣艺科技有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:贸易/代理/分销
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-33168621

    手机:13265672850

  • 型号/规格:

    TK12A65D

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    2SK3767

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-INM/独立组件

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK4026

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    TPC8062-H

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK3475

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VHF/甚高频

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2782 2SK2782

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 型号/规格:

    K3878

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 用途:

    MW/微波

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    K2917

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K851

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    LMP-C/阻*变换

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2sk2837

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K2057,2SK2057

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    DIFF/差分放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    TK13A65U K13A65U

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK2837

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    *

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK3878

  • 应用范围:

    功率

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCEO:

    D(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    D(A)

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