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场效应IGBT

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    FQU2N60C

  • 品牌/商标:

    国产

  • 封装形式:

    TO-251

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 型号/规格:

    FGA15N120ANTD

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装:

    管装

  • 型号/规格:

    SKM145GB128D

  • 品牌/商标:

    仙童

美国仙童Fairchild公司生产的IGBT单管具有压降小,频率高等优点,大量应用于电磁炉、小功率感应加热等领域。北京瑞田达公司作为仙童IGBT代理/fairchild IGBT代理,现货供应,保证原装正品,请洽询010-82895337,82893...

  • 型号/规格:

    FGA15N120ANTD

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    TO3P

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    塑料管庄

  • 功率特征:

    大功率

  • 品牌/商标:

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格:

    场效应IGBT模块

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N60UFD,SGL160N60UFD

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    进口

  • 型号/规格:

    44N50

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRG4PC50UD

  • 封装形式:

    TO-247

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 夹断电压:

    600(V)

  • 饱和漏极电流:

    55(mA)

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRG4PF50WD

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT绝缘栅比极

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    FGA25N120ANTDTU

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT绝缘栅比极

    品牌:ST 型号:TIP36CW 批号:09+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:热销 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双极型 集成程度:小规模 规格尺寸:11(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:11(mW)热...

    • 加工定制:

    • 品牌/商标:

      RENESAS/瑞萨

    • 型号/规格:

      RJP3057

    • 应用范围:

      功率

    • 材料:

      硅(Si)

    • 极性:

      NPN型

    • 击穿电压VCEO:

      330(V)

    • 集电极最大允许电流ICM:

      70(A)

      品牌:西门康 型号:IGBT 封装形式:功率型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型

        品牌:仙童 型号:FGA15N120 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 原装现货

        • 骏锐电子有限公司

        • 供应商等级: 免费会员
        • 企业类型:经销商 | 地区:广东深圳
        • 电话:0755-82532130

          品牌:英飞凌 型号:H15R1202 批号:10+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:热销 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 导电类型:双极型 集成程度:大规模 工作温度:-40~125(℃)全新原装

            特色标志:特价 品牌:IR 型号:IRFP460PBF 封装:TO-247 种类:结型(JFET)

              型号:各种IGBT 厂家:进口品牌 封装:各种封装荣兴电子是一家集生产,经营,销售为一体的大型电子元件配套公司,产品质量可靠,价格合理;公司主营整流桥,水泥电阻/线绕电阻/碳膜电阻,金属膜电阻,电解电容,金属氧化膜,霍尔...

                品牌:IR 型号:IRFPS37N50K大量现货库存

                  品牌:FAIRCHILD 型号:HGTG11N120CND 批号:09 封装:A 营销方式:现货 产品性质:热销 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双极型 集成程度:大规模 规格尺寸:原厂标准(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功...

                    品牌:仙童 型号:G23N60UFD.SGF23N60UFD 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600(V) 夹断电压:600(V) 低频跨...

                    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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