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场效应IGBT

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  • 型号/规格:

    FQU2N60C

  • 品牌/商标:

    国产

  • 封装形式:

    TO-251

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 型号/规格:

    FGA15N120ANTD

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装:

    管装

  • 型号/规格:

    全新进口正品 30F131 GT30F131 液晶专用场效应 IGBT 360V 200A

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 鸿玮盛电子

  • 企业类型:经销商
  • 电话:0754-86678809

    手机:13353083767

  • 型号/规格:

    SKM145GB128D

  • 品牌/商标:

    仙童

美国仙童Fairchild公司生产的IGBT单管具有压降小,频率高等优点,大量应用于电磁炉、小功率感应加热等领域。北京瑞田达公司作为仙童IGBT代理/fairchild IGBT代理,现货供应,保证原装正品,请洽询010-82895337,82893...

  • 型号/规格:

    FGA15N120ANTD

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    TO3P

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    塑料管庄

  • 功率特征:

    大功率

  • 品牌/商标:

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格:

    场效应IGBT模块

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号:

    GT40QR21

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT绝缘栅比极

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    G4PC40UD

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF610S

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N60UFD,SGL160N60UFD

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    进口

  • 型号/规格:

    44N50

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRG4PC50UD

  • 封装形式:

    TO-247

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 夹断电压:

    600(V)

  • 饱和漏极电流:

    55(mA)

  • 品牌:

    FREESCALE/飞思卡尔

  • 型号:

    FMG2G200US60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    SIT静电感应

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRG4PF50WD

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT绝缘栅比极

  • 品牌/商标:

    N/A

  • 型号/规格:

    IGBT600V

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    Panasonic/松下

  • 型号/规格:

    6030V5

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    FGA25N120ANTDTU

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT绝缘栅比极

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    STP65NF06,STP4NK60,FQP7N80C,FQP50N06,FQPF8N60C,FQPF10N60C

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    品牌:ST 型号:TIP36CW 批号:09+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:热销 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双极型 集成程度:小规模 规格尺寸:11(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:11(mW)热...

    • 加工定制:

    • 品牌/商标:

      RENESAS/瑞萨

    • 型号/规格:

      RJP3057

    • 应用范围:

      功率

    • 材料:

      硅(Si)

    • 极性:

      NPN型

    • 击穿电压VCEO:

      330(V)

    • 集电极最大允许电流ICM:

      70(A)

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