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场效应三极管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    FDC638P

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    SOT23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号:

    FDC638P

  • 厂家:

    CJ

  • 型号/规格:

    AOT474

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特性:

    小功率

  • 频率特性:

    低频

  • 型号/规格:

    FHP840

  • 品牌/商标:

    韩国飞虹

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装 50个/管

  • 型号/规格:

    HA/DG210N06

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 封装形式:

    TO247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特性:

    超大功率

  • 频率特性:

    超高频

  • 型号/规格:

    IRF640

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    袋装

  • 功率特征:

    中功率

  • 深圳市海胜电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-82727241

    手机:13353098703

  • 型号/规格:

    IRFB3207

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特性:

    中功率

  • 频率特性:

    中频

  • 汕头华丰电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 手机:13192369995

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    IRF2807

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装形式:

    贴片型

  • 型号/规格:

    SI2302 A2SHB SOT-23

  • 品牌/商标:

    长电

  • 材料:

    硅(Si)

  • 应用范围:

    放大

  • 型号/规格:

    SI2302

  • 品牌/商标:

    Vishay(威世)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    IRF9640PBF

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌/商标:

    SAM韩国三星

  • 型号/规格:

    SSR2955

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MIN/微型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

场效应三极管行业资讯

  • HVVi推出高频高电压垂直场效应三极管

    HVVi推出高频高电压垂直场效应三极管HVVi半导体推出高频高电压垂直场效应三极管(HVVFET?),HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级,远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利

  • 场效应三极管的型号命名方法

    现行有两种命名方法。种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三

什么是场效应三极管?

  •   场效应三极管(Field Effect Transistor)是只有一种载流子参与导电,且利用输入回路的电场效应来控制输出回路的电流来控制电流的三极管,又称场效应管。
  • 场效应三极管

场效应三极管技术资料

  • 瑞萨新型超级结金属氧化物场效应三极管

    瑞萨电子公司,高级半导体解决方案的主要供应商,今天宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管(超级结MOSFET)(注1),具有如下的特点:600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷,适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。

  • 场效应三极管介绍

    金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅G电压VG增大时,p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在n+源区S和n+漏

  • HVVi推出高频高电压垂直场效应三极管

    HVVi半导体推出首个高频高电压垂直场效应三极管(HVVFET?),HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级,远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利的技术使得HVVi达到了可与非硅芯片技术的

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