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功率MOSFET

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  • 型号/规格:

    IRF530NPBF

  • 品牌/商标:

    IR

标准包装 50 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET® FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 17A 开态Rds(最大)...

  • 型号/规格:

    FP6180

  • 品牌/商标:

    远翔科技

\该FP6180是一个内置的内部功率MOSFET降压稳压器。LT达到3A的连续输出电流在很宽的输入电压范围内具有优异的负载和线路调整。电流模式能提供快速的瞬态响应,环路稳定性设计。该器件包括逐周期电流限制和热关断保护...

  • 型号/规格:

    G110N06

  • 品牌/商标:

    GOFORD

  • 封装形式:

    TO-220/251/252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    全系列

  • 品牌/商标:

    科芯创展

产品编号: MOSFET-002 产品名称: N型MOSFET驱动管 规 格: SOT23-3 产品备注: 产品类别: 功率MOSFET驱动管 如需要该产品详细的资料,敬请联系我公司销售服务人员! 科芯创展从专业的角度为您提供优质的产品,让...

  • 类别:

    NexFET 功率 MOSFET

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 配置:

    四漏极、三源

  • 批号:

    15+

  • 型号/规格:

    IRFR024N

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 型号:

    IRF9540STRLPBF

  • 品牌:

    IR

  • 封装:

    TO-263

  • 年份:

    2017+

  • 型号/规格:

    IRF9640PBF

  • 品牌/商标:

    VISHAY

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    IRF510PBF

  • 品牌/商标:

    VISHAY

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

  • 价格:

    请咨询

  • 型号/规格:

    STFW3N150

  • 品牌/商标:

    ST

  • 封装:

    TO-3P

  • 数量:

    15000

  • 批号:

    16+

  • 单价:

    面议

  • 型号/规格:

    TC4427AVOA713

  • 品牌/商标:

    Microchip/微芯

  • 封装形式:

    SOP8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 型号/规格:

    PN8024

  • 品牌/商标:

    芯鹏微

PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。 PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了完整的智...

  • 型号:

    CSD17313Q2

  • 封装:

    SON6

  • 年份:

    14+

  • 品牌:

    TI德州仪器

  • 型号/规格:

    TNY268PN

  • 品牌/商标:

    TNY268PN

品牌/型号:POWER/TNY268PN 类型:其他IC 品牌:POWER 型号:TNY268PN 批号:全新原装环保无铅 TNY268PN中文资料: TNY268PN高性能低成本 • 高电压供电 - 充电器应用的理想选择 • 高带...

  • 型号/规格:

    2N7002

  • 品牌/商标:

    UTC

晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:280mA 电压, Vds 最大:60V 开态电阻, Rds(on):5ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:2.1V 功耗:0.2W 工作温度范围:-55to 150 封装类型:SOT-23 针脚数:3 SVHC(温度关注物质)...

  • 型号/规格:

    7667CBA,ICL7667CBA

  • 品牌/商标:

    INTERSIL

  • 封装形式:

    SOP-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

    品牌/商标 ALLEGRO 型号/规格 A3938SLDTR-T 封装 TSSOP38 批号 10+ 类型 驱动IC

    • 电机类型 - AC,DC:

      有刷直流

    • 技术:

      功率 MOSFET

    • 电流 - 输出:

      70A

    • 电压 - 电源:

      8 V ~ 18 V

    • 封装/外壳:

      TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA

    • 型号/规格:

      BLF861A

    • 品牌/商标:

      NXP

    • 环保类别:

      无铅环保型

    • 安装方式:

      卧式安装

    • 主要用途:

      卫星电视接收机

    • 调谐方式:

      频率合成

    • 型号:

      TC4425EPA

    • 品牌:

      MIC

    • 批次:

      16+

    • 封装:

      DIP-8

    功率MOSFET行业资讯

    • Vishay发布新的30V N沟道TrenchFET 第四代功率MOSFET--SiA468DJ

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK® SC-70封装,是具有业内最低的导通电阻和最高...

    • Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数...

    • TI推出业内电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

      德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管,电阻实现业内最低,比传统60-V负载开关低90%,同时,使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装,其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。如需了解更多信息与样品,敬请访问www.ti.com.cn/CSD...

    什么是功率MOSFET?

    •   “MOSFET”是英文metal-oxide- semiconductor field effect transistor的缩写,意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”,功率MOSFET即为以金属层M的栅极隔着氧化层O利用电场的效应来控制半导体S的场效应晶体管。除少数应用于音频功率放大器,工作于线性范围,大多数用作开关和驱动器,工作于开关状态,耐压从几十伏到上千伏,工作电流可达几安培到几十安培。功率MOSFET都是增强型MOSFET,它具有优良的开关特性。
    • 功率MOSFET

    功率MOSFET技术资料

    • 功率器件心得——功率MOSFET心得

      功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的电压和电流。管子工作在接近极限状态。一般直接驱动负载,带载能力要强。 功率MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写,译成中文是“金属氧...

    • 基于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

      1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。 功率MOSFET和双极型晶体管不同,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充...

    • 功率MOSFET在正激式驱动电路中的应用简析

      功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用,此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中,本文将会就这一功率器件的另一种应用方式,即有隔离变压器存在的互补驱动电路,进行简要分析。 有隔离变压器的互补驱动电路作为一种比...

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