INFINEON/英飞凌
SPD03N60S5
结型(JFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
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09+
*缘栅(MOSFET)
其他IC
GT 2300
SMD(SO)/表面封装
GT
S/开关
N沟道
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ST/意法
IRF630MFP
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
CC/恒流
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:13265769306
IR/国际整流器
IRF3808 IRF3808PBF 75V140A场效应管MOS管 IR代理* 价格*
结型(JFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
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美国万代AO
AO4803
结型(JFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
P-FET硅P沟道
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AOS万代
AO4419
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
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IR/国际整流器
IRFZ44N
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:18025534495
CER-DIP/陶瓷直插
K2843
ALGaAS铝镓砷
A/宽频带放大
TOSHIBA/东芝
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
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IRFR120NPBF
IR/国际整流器
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
属性值
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FAIRCHILD/*童
FQP12N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MIX/混频
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
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N沟道
增强型
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P-DIT/塑料双列直插
M*金属半导体
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否
FAIRCHILD/*童
5N60 6N60 7N60 8N60
放大
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600(V)
6(A)
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STP75NF75
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N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
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BF92N60/2N60/QPF2N60
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MOS-FBM/全桥组件
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
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耗尽型
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GE-N-FET锗N沟道
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CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:86 0755 28262495
长电
CJPF04N60 原装
结型(JFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
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YR
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增强型
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1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。 绝缘栅型场效应管和结型场效应...