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场效应管MOS管

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源头工厂
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  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    SPD03N60S5

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 批号:

    09+

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型:

    其他IC

  • 型号/规格:

    GT 2300

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    GT

  • 用途:

    S/开关

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    IRF630MFP

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 种类:

    场效应管

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO4801

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3808 IRF3808PBF 75V140A场效应管MOS管 IR代理* 价格*

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    美国万代AO

  • 型号/规格:

    AO4803

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    AOS万代

  • 型号/规格:

    AO4419

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFZ44N

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    K2843

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 型号/规格:

    IRFR120NPBF

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 属性:

    属性值

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQP12N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MIX/混频

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅MOSFET

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    5N60 6N60 7N60 8N60

  • 应用范围:

    放大

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCEO:

    600(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    6(A)

  • 林锦基

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 手机:

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP75NF75

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    比亚迪(BYD)

  • 型号/规格:

    BF92N60/2N60/QPF2N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFE 75N08

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP80NF70

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    长电

  • 型号:

    CJPF04N60 原装

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    YR

  • 型号/规格:

    (1N-14N)60,E 75N08 IRF350 360等

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 无锡亚伦科技有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产加工
  • 地区:江苏无锡
  • 电话:86 510 68937001

    手机:13951562276

  • 漏*电流:

    1

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 型号/规格:

    1.5N60

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    国产

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 深圳市爱芯科电子商行

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:86 0755 83622538

    手机:13808800767

场效应管MOS管技术资料

  • 绝缘栅型场效应管(MOS管)

    1.绝缘栅型场效应管的结构  绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。  绝缘栅型场效应管和结型场效应...

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