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拆机场效应管

(共找到“194”条查询结果)
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  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    K2676

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IR830

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    4N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    SAM韩国三星

  • 型号/规格:

    13N50

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 品牌/商标:

    *拆机

  • 型号/规格:

    2SK1940

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌:

    MOTOROLA/摩托罗拉

  • 型号:

    MIP50N06,FQP50N06 RFP50N06

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MIN/微型

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    W16*60,W20NM60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    w45nb60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    M*金属半导体

    长期现货供应拆机场效应管IRFZ46N"

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 型号/规格:

      IRFP460 IRFP460LC

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      S/开关

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      INFINEON/英飞凌

    • 型号/规格:

      IRFP9140

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      A/宽频带放大

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      GE-N-FET锗N沟道

    • 品牌/商标:

      *

    • 型号/规格:

      5N3011

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      MW/微波

    • 封装外形:

      CHIP/小型片状

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 型号/规格:

      IRFP460A

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      L/功率放大

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      ST/意法

    • 型号/规格:

      STP75NF75

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 应用范围:

      开关

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 型号/规格:

      IRFP4332 IRFP4232

    • 封装形式:

      TO-247

    • 材料:

      硅(Si)

    • 型号/规格:

      IRF2910,IRFB59N10

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 品牌/商标:

      F*童

    • 型号/规格:

      SSH7N90A

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      L/功率放大

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      M*金属半导体

    • 品牌/商标:

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格:

      FDA59N25/59N25

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      MIX/混频

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 型号/规格:

      IRFP460

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

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