AT45DB321B-TU,AT45DB321B
ATMEL
For new designs use AT45DB321C. 32M bit, 2.7-Volt Only Serial Interface Flash with two 528-Byte SRAM Buffers
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NT5DS32M16ES-5T
南亚
TSOP16
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D82C54C-2
NEC
万汇电子 LCR线性光耦系列 LCR个/包 200个/盒 LCR个/包 200个/盒 VTL5C1-10 50个/包100个/盒 ----------------------------------------------------------- ON对管 :NJW0302G /NJW0281G TO-3P 30个/管 1080个/盒 TO...
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AT24C02N
AMEL
封装类型:SOIC 针脚数:8 工作温度范围:-40°C 到 +85°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011) Interface T*e:Serial, I2C 器件标号:24 存储器容量:2Kbit 存储器电压 Vcc:5.5V 存储器类型:EEPR...
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PM25LQ032C-SCE
PFLASH 台湾常忆
深圳市创凌世纪科技有限公司是创凌国际(香港)有限公司在华成立的全资子公司。总公司位于香港九龙湾仔,面向中国辐射;深圳公司地处毗邻香港、交通便利的宝安中心区。公司自成立至今已有十余年,专注于半导体行业数...
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K9F1G08U0B-PCB0
SAMSUNG
K9F1G08U0B FLASH MEMORY 128M x 8位NAND快闪记忆体 产品列表 产品编号 K9F1G08U0B-P VCC范围 2.70 ~ 3.60V 组织 x8 PKG型 TSOP1 特点 • 电源电压 - 3.3V Device(K9F1G08U0B) : 2.70V ~ 3.60V &am...
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24C02
TSSOP
-40C-80C
2020+
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这款超紧凑的弹性存储芯片提高了SWaP,可用于通信、地球观测、科学和边缘计算卫星等高级任务。 8 GB DDR4的工程样片(EM)现可提供。飞行正片(FM)正在研发中,计划2025年初发布。 Teledyne e2v今天宣布其8GB宇航级DDR4存储器成功通过宇航级认证,可用作...
国际电子商情30日从中央网信办获悉,近日,中央网信办、市场监管总局、工业和信息化部联合印发《信息化标准建设行动计划(2024—2027年)》,要求加强统筹协调和系统推进,健全国家信息化标准体系,提升信息化发展综合能力,有力推动网络强国建设。 《行动计...
在国新办举行的“推动高质量发展”系列主题新闻发布会上,湖北省委副书记、省长王忠林表示,湖北坚持把发展的着力点放在实体经济上,加快构建以战略性新兴产业为引领、以先进制造业为主导、以现代服务业为驱动的现代化产业体系,高技术制造业增加值近3年年均...
三星电子和SK海力士正在激烈竞争,以引领人工智能(AI)时代的下一代半导体市场。两家公司都在努力通过新产品开发和大规模生产时机来获得优势。随着英特尔加入竞争,全球半导体战线正在扩大。 4月21日消息,据业内人士透露,三星电子和SK海力士近日宣布了...
随着AI服务器市场的快速成长,下游客户需求持续回暖,半导体行业呈现复苏态势。其中,存储芯片产业一马当先,领跑中国集成电路的需求复苏。 从业绩变化来看,今年一季度,中国本土存储芯片产业链公司业绩同比大幅增长。 内存接口芯片龙头澜起科技预计,...
存储芯片是一种用于数据存储的集成电路芯片,也称为存储器芯片。它们通常被用作计算机、手机、相机、智能设备和其他电子设备中的主要存储设备。 存储芯片可以分为多种类型,包括:随机存取存储器(RAM):RAM 是一种易失性存储器,能够快速地读写数据,但...
现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展,我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel & Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop,Intel的技术人员在会议上具体揭示了Intel 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。 这场会议在深圳JW万豪酒店举行...
据Intel介绍,HET包含有Intel自己开发的固件、Intel控制器和高循环次数NAND.这种技术结合了NAND硅增强性能和独特的固态硬盘NAND管理技术,可扩展基于MLC的固态硬盘的写入耐用性,实现的耐用性和操作性能。 固态硬盘(Solid State Drives),简称固盘,是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬...