F10C20C/
富茁品牌
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
电话:0755-89629958-803
手机:13823318720
GW-R29C
无线佳企GW
GW-R29C 是 VHF/UHF *频无线数*送接收模块。该模块具有以下特点: (1) 省电,在 5V 电源工作时,耗电约 4mA。 (2) 灵敏度高-110dBm。采用 PLL 稳频,頻率准确,稳定。 (3) 适用于 250—450MHz 各频点,调试容易...
电话:0755-89802589
手机:13714517520
TO-*
A1695/*468
硅(Si)
欧芯
100V/120V/140V
6A/8A/10A
60W/80W/100W
功率
手机:
光敏器件型
810-940(nm)
宽带型
单通道
半导体
透过型外光路
中红外
光学接收器件
手机:18948358757
SAK日本三肯
2sa1303/2sc3284
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MAP/匹配对管
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:
直插型
2SA1943/2SC5200
硅(SI)、硅(SI)
TOSHIBA/东芝
放大
手机:
放大
TOSHIBA/东芝
2SA1943 2SC5200 TTA1943 TTC5200
*
100
大功率功放对管
TO-*L
手机:13826588029
P-DIT/塑料双列直插
MJE15032 MJE15033
NF/音频(低频)
ON/安森美
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0755-13418729306
手机:13418729306
直插 / 贴片
1M50D-060A 1*H50D-060A
硅(Si)
*
放大
手机:15817922869
是
发光二*管
是
台湾鼎元芯片
940的F5
硅(Si)
鼎元12MIL
红外触摸屏
手机:
是
0N/安森美
MJ15015/MJ15016
放大
硅(Si)
NPN型
1(V)
1(A)
手机:
TOSHIBA/东芝
2SA1943/C5200
结型(JFET)
N沟道
增强型
MIX/混频
P-DIT/塑料双列直插
SIT静电感应
手机:
是
0N/安森美
MJE15031G
高反压
硅(Si)
NPN型
平面型
直插型
手机:
SAK日本三肯
2SA1216/2SC2922
结型(JFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SP/*外形
N-FET硅N沟道
手机:
TOSHIBA/东芝
C2073
结型(JFET)
N沟道
增强型
MAP/匹配对管
P-DIT/塑料双列直插
HEMT高电子迁移率
手机:13790888055
Hitachi/日立
J113/K399
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:15976925315
CER-DIP/陶瓷直插
2SC3263 2SA1294
N-FET硅N沟道
L/功率放大
SAK日本三肯
N沟道
结型(JFET)
增强型
手机:
网易科技讯6月14日消息,据彭博社报道,惠普公司今日宣布,为了促进业绩增长对管理层进行调整,其中包括执行副总裁安·利弗莫尔(AnnLivermore)将加入董事会,而另外三个面向消费者部门的执行副总裁将直接向首席执行官李艾科(LéoApotheke
ROHS指令是欧盟基于环保提出的2002/95/EC号指令,2006年7月1日正式实施。指令要求出口到欧盟的十大类电子电气产品(包括大、小家用电器等),有害物质的上限除镉不能超过100PPM外,其他五种铅,汞,六价铬,聚溴联苯及聚溴二苯醚不能超过1
差分对管是把两只性能一致的晶体管封装成一体的半导体器件。它能以最简方式构成性能优良的差分放大器,经常用于仪器、仪表的输入极和前置放大极。差分对管有两种结构形式,一种是硅高频小功率差分对管,典型产品有3CSG3,ECM1A等;另一种是硅小功率差分对管
美国芯片设计工作的离岸问题,日益受到美国工程师们的关注,并正在成为技术研讨会上有待探讨的议程。在IEEE定制集成电路研讨会(CICC)上,将召开题为“由无晶圆厂到无设计:如何应对管理全球化挑战?”的会议,座谈会将讨论如何解决离岸问题。该会议由Ado
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差分对管的外形如图所示,其主要特性参数见下表。 图 差分对管外形 表 硅差分对管主要特性参数
无晶振控制与对管免调技术提升鼠标性能埃派克森微电子日前发布了四款USB鼠标控制器芯片,采用了其独创的无晶振鼠标控制技术和对管免调技术。 其中,A2602为3D SPI接口PS/2光电鼠标控制器,采用主控的时钟源直接驱动光电传感器,其分辨率支持范围是800dpi~1600dpi,可以节省80%的BOM成本;A...