整流管
否
晶正
ZP100A
硅(Si)
陶瓷
100(℃)
1
电话:86 0577 62755701
手机:13757751157
整流管
是
DIOD*/美台
S2BA-13-F
硅(Si)
.
.
.
电话:86 0755 82518126
整流管
是
ON/安森美
MR756RLG
硅(Si)
+
+
6A,600V
电话:86 0755 61685160
整流管
MIC
HER604
硅(Si)
大功率
其他
直插型
点接触型
电话:86 0755 82814318
手机:13570824511
快恢复二*管
是
ON/安森美
MUR105,MUR110,MUR115,MUR120,MUR130,MUR140,MUR160,M
硅(Si)
原装现货
电源类
4A 600V
电话:86 755 6130677
整流管
否
TRR
M1
硅(Si)
50
DO-214AC
-50~150(℃)
电话:86 0755 27581614
整流管
是
MIC
1N4937
硅(Si)
1
1
1
电话:86 0755 82774277
整流管
是
TOSHIBA/东芝
M4/1N4004 M7/1N4007 M1/1N4001
硅(SI),硅(SI)
*
SMA
*(℃)
电话:0086 0755 82797876
手机:13723406584
HEBEN
ZP 5-500A
单向
二*
陶瓷封装
螺旋形
普通
不带散热片
电话:86 0577 15869673567
手机:15869673567
二*管
HSMS-2805-TR1G
*AGO
整流管
是
4SOT-143
电话:86 0571 88205597
75V
13+
硅(Si)
是
2
150MA
1N4148
整流管
电话:086 0755 83662725
手机:13632731073
上海*和
MTC MTX MTA MTK MT
双向
四*
树脂封装
圆壳形
普通
带散热片
电话:86 0577 62756418
MFC 26A-1200A
GRIDO
特点 1、芯片与底板电气*缘 2、国际标准封装 3、全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力 4、400A以下模块皆为强迫风冷,500A以上模块既可选用风冷,也可选用水冷 典型应用: 1、交直流电机控制 2、各种整流电源 3...
电话:010-63528281
手机:18611640075
0
1210+
硅(Si)
是
3
MURD320L
开关管
ON/安森美
电话:86 0755 82567800
手机:13826553136
否
整流管
否
MIC
1N4006
硅(Si)
塑料封装
其他
电话:86 0755 83030073
-65~180(℃)
新年份
硅(Si)
是
70
1200
70HFR120
整流管
手机:15920085281
整流管
是
FAIRCHIL
M*D1404-NL
SOT-23-3
-55℃/+150℃(℃)
0.35 W
SOT-23-3
手机:
整流管
是
*
a6
硅(Si)
1
贴片
50(℃)
手机:
快恢复二*管
否
MIC
SF28
硅(Si)
DO-15
-65~+150(℃)
1
手机:15817468549
DSK12-DSK110
SR
SOD-123L
无铅*型
贴片式
单件包装
电话:0755-82538080
手机:18922843882
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率...
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性,主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结
与SBD相比,SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知,用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且,对同一系列的SR,额定阻断电压越高,RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dz...
功率MOS管有寄生的二极管,称为体二极管,其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns,希望皿体二极管的trr也和SBD一样,能控制在10ns左右。此外,体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正
SR的功耗,可以用式(7-5)近似表示: 式中 项——正向通态损耗,其中IFrms为正向电流有效值; RDS(on)——功率MOS管的通态电阻; 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗,其中f为开关频率; Cin——等效输人电容; UG...