品牌:ON 型号:NTR4101PT1G 批号:2010+ 封装:SOT23 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:12（mm） 工作温度:-40~85（℃） 静态功耗:3（mW） ...
电话：0755-29471231
品牌:*童 型号:FQP5N60C 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MIN/微型 封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:21（V） 夹断电压:32（V） 低频跨导:23（μS） *间...
电话：0755-83559919
品牌:Infineon英飞凌 型号:IPW60R045CP 应用范围:功率功率MOSFET,600V,TO-247,IPW60R045CP,infineon*原装制造商: INFINEON 制造商编号: IPW60R045CPRoHS协从产品:是描述晶体管类型:Power MOSFET晶体管*性:N Channel...
电话：27-88866685
类型:直插 品牌:OC我公司是生产大功率三*管（3DD系列、2SA、2SC、MJ）、场效应管、*声波用晶体管（BU系列）、开关三*管、快恢复二*管等元器件的。大功率三*管：3DD5686 3DF50C 3DF50G 2SC5200 2SA1943 2SC1142 2SC14...
电话：0571-63342995
品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRFP260NPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:C-MIC/电容话筒* 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GaAS-FET砷化镓 开启电压:0（V） 夹断电压:0（V） 低频跨...
电话：0755-61667660
品牌:IXYS 型号:IXTA200N075T 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:75（V） 夹断电压:75（V） 低频跨导:0.031（&...
电话：519-8128855
品牌:CANCA 型号:630、640、730、740、830、840、1N60、2N60、4N60、5N60、7N60、8N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型本公司加工（OEM）、销售多种规格、多种型号（MOSFET管、MJE系列产品、BUL...
电话：0768-133767358
品牌:IR 型号:IRFP4228PBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-ARR/陈列组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道本公司产品绿色*！原装！一手货源，大量现货库存！产品广泛有：...
电话：0512-68052325
品牌/商标 FIA *童 型号/规格 HUF75545P 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 东泰诚电子经营各种IC集成电路,二三*管,电阻,电容...欢迎查询! 实物拍...
电话：0755-83014010
品牌:APT美国*功率 型号:AP2302 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 AP2302 N沟道 增强型MOSFET VDS:20V ID:2.6A
电话：0755-29163516
FSC*童
FQP46N15
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CHOP/斩波、限幅
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话：21-63818038
品牌:Fairchild Semiconductor 型号:FQP5N60C 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 *件编号 FQP5N60C-ND 价格下跌 单价 扩充价格 1,000 0..17 现有数量 6,000 制造商 Fairchild Semiconductor 制造商...
电话：0755-82812585
NEC/日本电气
K825，2SK825
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
/（V）
/（V）
/（μS）
电话：754-84497561
品牌:晟康（SK） 型号:IRF640 封装形式:TO-220 T0-220F 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 夹断电压:200（V） 饱和漏*电流:18（mA） 营销方式:* 杭州晟康科技有限公司生产三*管（大功率）、场效应...
电话：0571-89922896
品牌:IR/ST/FSC 型号:在线咨询◆*原装｜**◆ 封装形式:其他 封装材料:塑料封装 结构:其他 应用范围:功率①常备大量现货，质优价好 ②诚信相伴十二载，|务实|*,让您的采购工作更轻松 ③服务特色：大小批量分立器件及I...
电话：0755-33061561
韩国KEC
KHB4D5N60F
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
详见参数资料（V）
详见参数资料（V）
电话：755-83295855
品牌/商标 IR 型号/规格 IRF540N 封装形式 D2-PAK 种类 MOSFET 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 开启电压 Vds:100V（V） 夹断电压 Vds :100V（V） 营销方式 现货
电话：21-58217591
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管，可用于汽车电机控制、电池极性接...
意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。 STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管，可用于汽车电机控...
意法半导体的900V MDmesh? K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。 900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有RDS(ON)导通电阻低于100m?的900V MOSFET管，是RDS(ON) 电阻的DPAK...
意法半导体的900VMDmesh™K5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有
意法半导体的900VMDmeshK5超结MOSFET管让电源设计人员能够满足更高功率和更高能效的系统需求，具有同级的导通电阻(RDS(ON))和动态特性。900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安全系数。新系列产品含有RDS(ON)
我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。 一、什么...
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，电压等，电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增...
H桥功率驱动电路可应用于步进电机、交流电机及直流电机等的驱动。永磁步进电机或混合式步进电机的励磁绕组都必须用双极性电源供电，也就是说绕组有时需正向电流，有时需反向电流，这样绕组电源需用H桥驱动。本文以两相混合式步进电机驱动器为例来设计H桥驱动电路。 电路原理 给出...
