Vishay/威世通
SI4442DY
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
LMP-C/阻*变换
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
电话:021-61204946
SMD(SO)/表面封装
FDN360P
硅(SI)
MOS-ARR/陈列组件
FAIRCHILD/*童
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
电话:755-82562956
INFINEON/英飞凌
IPP50R299CP
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CHOP/斩波、限幅
CER-DIP/陶瓷直插
M*金属半导体
电话:0755-89345486
FIRST
FTR4N90L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0755-61306512
品牌:OC型号:4N60种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:L/功率放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道营销方式:*封装形式:直插型饱和漏*电流:4我公司是生产大功率三*管(3DD...
电话:0571-63342995
品牌:AOS(美国万代) 型号:AO3409 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:20(V) 夹断电压:30(V) 漏*电流:2600(mA) 耗...
电话:755-83232409
品牌:华瑞 型号:CEP6060R 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:逆变器 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 开启电压:60(V) 夹断电压:x(V) 低频跨导:x(μS) *间电容:x(pF) 低频噪声系数...
电话:0574-27660920
品牌:AOS 型号:AO4706L 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MAP/匹配对管 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:11(V) 夹断电压:11(V) 低频跨导:11(μS) *间...
电话:0755-61306306
CHIP/小型片状
AO3401
GE-N-FET锗N沟道
台产MSV VISHAY
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
MOSFET
电话:0755-23956585
2013+
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
其他IC
SI2312
SMD(SO)/表面封装
MOS管SI
MOS-HBM/半桥组件
电话:0755-82528360
RLP
7N40
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
属性值
电话:0755-83752690
茂钿
MT2301
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:0755-83203215
品牌:IR 型号:IRFP2907 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 漏*电流:75(mA)产品说明: ---------------------------------------【产品型号】:IRFP2907 【生产厂家】:IR【封装型式】:TO-*/TO-247--...
电话:0754-86673495
品牌:KF 型号:KF2302 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:0.7(V) 夹断电压:2(V) 低频跨导:2(μS) *间电容:2(p...
电话:0755-86130872
BGS
2N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0591-83891801
英飞凌
SSF6010替代120N06
品牌/商标 英飞凌 型号/规格 SSF6010替代120N06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 电动车 控制器 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 英飞凌 原装 mos管 120N06 优势产品 FQP5N60 FQP...
手机:
ROHM/罗姆
RSS100N03
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:0755-82543122
INFINEON/英飞凌
BSC030N03LS G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
品牌:ST 型号:TIP42 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:稳定电压 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:1(V) 夹断电压:1(V) 低频跨导:1(μS) *间电容:1(pF...
电话:0769-85338953
电话:0754-86678372
意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD,可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺,由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列