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场效应MOS管

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  • 品牌:

    Vishay/威世通

  • 型号:

    SI4442DY

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    LMP-C/阻*变换

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    FDN360P

  • 材料:

    硅(SI)

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 洪吉林

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:755-82562956

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    IPP50R299CP

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CHOP/斩波、限幅

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 品牌/商标:

    FIRST

  • 型号/规格:

    FTR4N90L

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 陈泽滨

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-61306512

    品牌:OC型号:4N60种类:*缘栅(MOSFET)沟道类型:N沟道导电方式:增强型用途:L/功率放大封装外形:P-DIT/塑料双列直插材料:N-FET硅N沟道营销方式:*封装形式:直插型饱和漏*电流:4我公司是生产大功率三*管(3DD...

      品牌:AOS(美国万代) 型号:AO3409 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:V-FET/V型槽MOS 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:20(V) 夹断电压:30(V) 漏*电流:2600(mA) 耗...

        品牌:华瑞 型号:CEP6060R 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:逆变器 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 开启电压:60(V) 夹断电压:x(V) 低频跨导:x(μS) *间电容:x(pF) 低频噪声系数...

          品牌:AOS 型号:AO4706L 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MAP/匹配对管 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:11(V) 夹断电压:11(V) 低频跨导:11(μS) *间...

          • 蔡泽鑫

          • 供应商等级: 免费会员
          • 企业类型:招商代理
          • 地区:广东深圳
          • 电话:0755-61306306

          • 封装外形:

            CHIP/小型片状

          • 型号/规格:

            AO3401

          • 材料:

            GE-N-FET锗N沟道

          • 品牌/商标:

            台产MSV VISHAY

          • 沟道类型:

            N沟道

          • 种类:

            *缘栅(MOSFET)

          • 导电方式:

            耗尽型

          • 场效应管:

            MOSFET

          • 批号:

            2013+

          • 材料:

            N-FET硅N沟道

          • 种类:

            *缘栅(MOSFET)

          • 类型:

            其他IC

          • 型号/规格:

            SI2312

          • 封装外形:

            SMD(SO)/表面封装

          • 品牌/商标:

            MOS管SI

          • 用途:

            MOS-HBM/半桥组件

          • 品牌/商标:

            RLP

          • 型号/规格:

            7N40

          • 种类:

            *缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型:

            N沟道

          • 导电方式:

            增强型

          • 用途:

            DC/直流

          • 属性:

            属性值

          • 品牌/商标:

            茂钿

          • 型号/规格:

            MT2301

          • 种类:

            *缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型:

            N沟道

          • 导电方式:

            增强型

          • 用途:

            S/开关

          • 封装外形:

            SMD(SO)/表面封装

          • 材料:

            N-FET硅N沟道

          • 陈柔娟

          • 供应商等级: 免费会员
          • 企业类型:经销商
          • 地区:广东深圳
          • 电话:0755-83203215

            品牌:IR 型号:IRFP2907 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 漏*电流:75(mA)产品说明: ---------------------------------------【产品型号】:IRFP2907 【生产厂家】:IR【封装型式】:TO-*/TO-247--...

              品牌:KF 型号:KF2302 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:0.7(V) 夹断电压:2(V) 低频跨导:2(μS) *间电容:2(p...

              • 品牌/商标:

                BGS

              • 型号/规格:

                2N60

              • 种类:

                *缘栅(MOSFET)

              • 沟道类型:

                N沟道

              • 导电方式:

                增强型

              • 用途:

                V-FET/V型槽MOS

              • 封装外形:

                P-DIT/塑料双列直插

              • 材料:

                N-FET硅N沟道

              • 品牌:

                英飞凌

              • 型号:

                SSF6010替代120N06

              品牌/商标 英飞凌 型号/规格 SSF6010替代120N06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 电动车 控制器 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 英飞凌 原装 mos管 120N06 优势产品 FQP5N60 FQP...

              • 品牌/商标:

                ROHM/罗姆

              • 型号/规格:

                RSS100N03

              • 种类:

                *缘栅(MOSFET)

              • 沟道类型:

                N沟道

              • 导电方式:

                增强型

              • 用途:

                V-FET/V型槽MOS

              • 封装外形:

                SMD(SO)/表面封装

              • 材料:

                N-FET硅N沟道

              • 品牌/商标:

                INFINEON/英飞凌

              • 型号/规格:

                BSC030N03LS G

              • 种类:

                *缘栅(MOSFET)

              • 沟道类型:

                N沟道

              • 导电方式:

                耗尽型

              • 用途:

                S/开关

              • 封装外形:

                SMD(SO)/表面封装

              • 材料:

                N-FET硅N沟道

                品牌:ST 型号:TIP42 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:稳定电压 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-P-FET锗P沟道 开启电压:1(V) 夹断电压:1(V) 低频跨导:1(μS) *间电容:1(pF...

                  品牌:*童 型号:FQP4N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型本产品参数为4安600伏封装TO-263 欢迎来询

                  场效应MOS管技术资料

                  • 载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度

                    意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD,可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺,由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列

                  电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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