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IGBT

(共找到“1060”条查询结果)
企业类型:不限工厂贸易
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  • 型号/规格:

    MKP-HA IGBT 缓冲吸收薄膜电容器

  • 品牌/商标:

    DIN(创仕鼎)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 产品主要用途:

    工业电力电气设备

  • 引出线类型:

    轴向引线型

  • 特征:

    扁型

  • 型号/规格:

    QP12W08S-37 系列

  • 品牌/商标:

    mornsun 金升阳

  • 类型:

    电源驱动器

  • 应用:

    工控、电力、仪表等

  • 型号/规格:

    IGCM10F60GA

  • 品牌/商标:

    INFINEON

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    IXGH48N60C3D1

  • 品牌/商标:

    IXYS/艾赛斯

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 型号/规格:

    CM900DUC-24NF

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI(三菱)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    96843LPAB_090901-R6

  • 品牌/商标:

    中兴

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    M57962,M57962AL

  • 品牌/商标:

    三菱

  • 型号/规格:

    WSS-TLP521

  • 品牌/商标:

    WSS

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    BSM150GX120DN2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    DM2G100SH6A

  • 品牌/商标:

    Magnachip

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 原产地:

    韩国

  • 型号/规格:

    SKIIP38AC126V2

  • 品牌/商标:

    SEMIKRON(西门康)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 封装:

    IGBT模块

  • 功率特性:

    大功率

  • 应用范围:

    放大

  • 极性:

    NPN型

  • 型号/规格:

    FQU2N60C

  • 品牌/商标:

    国产

  • 封装形式:

    TO-251

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 型号:

    FZ1200R16KF4

  • 厂家:

    INFINEON

  • 封装:

    IGBT

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 型号/规格:

    GT30F126

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    2500/盒

  • 型号/规格:

    FGA25N120ANTDTU IGBT

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 产品族:

    晶体管 - UGBT,MOSFET - 单

  • 型号/规格:

    IXFN50N80Q2

  • 品牌/商标:

    艾赛斯IXYS

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    FGA20S120M

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD

  • 封装形式:

    TO3P

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    FF200R12KS4

  • 品牌/商标:

    infineon

SEMIKRON 模块/第四代采用SPT芯片的IGBT在高频特性和功耗匹配更合理,采用钢线连接,这种连接方法集肤效应更好,并且采用对称结构使分布电感量最小.128系列采用80度标示,在同等条件下,SEMIKRON第四代SPT芯片的IGBT比同...

  • 品牌:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号:

    三极管 MOS TO-252 3040 V3040D3S

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    TR/激励、驱动

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    IGBT绝缘栅比极

  • 型号/规格:

    GT50J301

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA

  • 封装形式:

    塑料封装

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特性:

    超大功率

  • 频率特性:

    超高频

IGBT行业资讯

  • 研发、制造、应用 高铁IGBT芯片实现全面国产化

    近日,中车株洲电力机车研究所研发的8英寸IGBT(绝缘栅双极型晶体管)高铁控制系统成功中标印度机车市场。这是我国高铁装备核心器件首次获得海外批量订单。 作为新一代功率半导体器件,IGBT是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。“通俗地讲,IGBT芯片就是高铁列车的...

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什么是IGBT?

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
  • IGBT

IGBT技术资料

  • 六种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

    MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。但 是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs,因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。小功率MOSFET的Cgs一般在 10-100pF之内,对于大...

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    电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力,IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件,其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路的设计与工业通用变频器、风能太阳能逆变器的驱动电路有更为苛刻的技术要求,其中的电源电路受到空间尺寸小、工作温度高等限制,面临诸多挑...

  • 120mA输出电流的IGBT驱动器电源QAxx1系列

    QAxx1系列产品是专为IGBT驱动器而设计的DC-DC电源模块。该系列产品充分结合了驱动IC的特点,提供不对称输出电压+15/-8VDC,可以最大限度地降低驱动损耗。其输出电流高达120mA,可满足大范围的IGBT驱动器功率要求。该系列产品效率高达81%,可在-40℃~+105℃温度下工作,具有超小隔离电容6PF,...

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