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IGBT

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源头工厂
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  • 品牌:

    安玛

  • 型号:

    H30R1202

  • 类型:

    其他IC

  • 功率:

    0

  • 用途:

    电源

  • 封装:

    TO-247

  • 批号:

    最新年份+

  • 特色服务:

    0

  • 型号/规格:

    IRG4PC50WPBF

  • 品牌/商标:

    IR

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 包装方式:

    盘装

  • 安装方式:

    SMD/SMT

  • 型号/规格:

    NCE25GD120T

  • 品牌/商标:

    NCE新洁能

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    QAU242D2G 系列

  • 品牌/商标:

    金升阳

  • 输入电压:

    9-36VDC

  • 隔离电压:

    4200VAC\t

  • 工作温度:

    -40~105℃

  • 型号/规格:

    FGA25N120ANTD

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    TO-3P-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 系列:

    /

  • 品牌:

    宏博通

  • 型号:

    FGH40N60UFD

  • 类型:

    通信IC

  • 电源电压:

    /

  • 功率:

    /

  • 频率:

    /

  • 用途:

    /

  • 型号/规格:

    HCPL-3140-500E

  • 品牌/商标:

    Avago Technologies\t

高速光耦合器0.4AIGBTGateDrive安华高科技 (Avago Technologies, Nasdaq: AVGO) 为聚焦 III-V 族半导体产品,各种广泛模拟半导体器件的领先设计、开发和全球供应商,高速光耦合器0.4AIGBTGateDrive藉由高性能设计和...

  • 型号/规格:

    FGW40N120HD

  • 品牌/商标:

    FUJITSU(富士通)

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 功率特征:

    大功率

  • 工作电压:

    1200V

  • 制造商:

    IR

  • 封装/外壳:

    NA

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 批号:

    19

  • 制造商型号:

    IRG4PC50KPBF

  • 型号/规格:

    IRGIB10B60KD1P

  • 品牌/商标:

    IR

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插

  • MPQ:

    100

  • 环保方式:

    无铅环保

  • 包装方式:

    管装

  • 单位重量:

    6.401 g

  • 技术:

    Si

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 商标:

    ON Semiconductor / Fairchild

  • 封装:

    Tube

  • 系列:

    FGA6560WDF

  • 型号/规格:

    CM75E3U-12H

  • 品牌/商标:

    MITSUBISHI

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 系列:

    -

  • 类别:

    分立半导体产品

  • 产品族:

    晶体管 - IGBT - 模块

  • 电压 - 电源:

    -

  • 型号/规格:

    M57962

  • 品牌/商标:

    Powerex Inc

类别 集成电路 (IC) 家庭 PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列 - 配置 - 输入类型 非反相 延迟时间 1.0µs 电流 - 峰 5A 配置数 1 输出数 1 高端电压 - 最大(自引导启动) 1200V 电源电压 14 V ~ 1...

  • 型号/规格:

    BSM50GD120DN2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 类型:

    IGBT模块

  • 型号/规格:

    BSM150GX120DN2

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 型号/规格:

    WSS-TLP521

  • 品牌/商标:

    WSS

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 品牌:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号:

    三极管 MOS TO V3040D3S

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    TR/激励、驱动

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    IGBT绝缘栅比极

  • 型号/规格:

    IKW40N120H3

  • 品牌/商标:

    IGBT功率管

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装-盒装

  • 功率特性:

    超大功率

  • 频率特性:

    超高频

  • 型号/规格:

    VSP-000 IGBT

  • 品牌/商标:

    VICFUSE

  • 电流:

    10-630A

  • 电压:

    690VAC800VDC

  • 安规:

    UL CE

IGBT行业资讯

  • 电动汽车带动IGBT产值,2021年有望突破52亿美元

    集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出,除了电池与发动机外,电动汽车关键零组件以IGBT功率元件最为重要,其使用量约为传统内燃机引擎汽车的5至10倍之多,因此电动汽车的发展将带动IGBT市场总值持续成长,预估2021年IGBT的市场总值将突破52亿美元。   集邦咨询分析师徐韶甫指出,电动汽车...

  • IGBT技术将成为主力军 ST迎头赶上

    我们都知道,功率器件细分产品主要包括MOSFETs,功率模块,整流桥,IGBT 等。据Yole Development统计和预测,17-21年功率器件市场规模CAGR 为5.39%,其中MOSFETs(5.23%),IGBT(9.02%),功率模块(6.20%),二极管(2.8%),晶闸管(2.71%),整流桥(4.72...

  • 电动汽车成发展趋势,所用 IGBT 元件市场值将会连环增涨?

    电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预估在2021年电动汽车将突破800万辆,为2018年的两倍。  除了电池与发动机外,电动汽车关键零组件以IGBT功率元件最为重要,其使用量约为传统内燃机引擎汽车的5至10倍之多,因此电动汽车的发展将带动IGBT市场总值...

什么是IGBT?

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
  • IGBT

IGBT技术资料

  • 如何计算IGBT的驱动功率?

    确定门极电荷Qg和门极电容   对于设计一个驱动器来说,最重要的参数莫过于门极电荷Qg的大小,同时确定实际的门极输入电容Cies的大小,因为Datasheet中给到的输入电容大小一般是个参考值,确定实际门极输入电容是一重要意义的。   我们可以通过测量门极的充电过程来确定实际输入结电容C...

  • MOSFET与IGBT的本质区别

    1、由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。 2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几...

  • 新型IGBT软开关在应用中的损耗

    本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT,并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。 IGBT技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度,以及利用“场终止”概念(也有称为“软穿通”或“轻穿通”)降低晶圆n衬底的厚度。 此外...

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