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高压场效应管

(共找到“44”条查询结果)
企业类型:不限工厂贸易
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  • 型号/规格:

    G1N60B

  • 品牌/商标:

    GOFORD

  • 封装形式:

    TO-251

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 品牌:

    FSC/仙童

  • 型号:

    FQPF10N60C

  • 数量:

    61889

  • 批号:

    16+

  • 价格:

    电议

  • 型号/规格:

    NK4N60

  • 品牌/商标:

    nanker

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 型号/规格:

    FIR7N65LG

  • 品牌/商标:

    FIRSTFI/福斯特

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 品牌:

    Hitachi/日立

  • 型号:

    K1317

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-INM/独立组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 型号/规格:

    拆机 场效应 大功率三极管 大电流场效应管 高压场效应管

  • 品牌/商标:

    进口

  • 封装形式:

    TO252 TO220 TO3P TO247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    FNK55H11

  • 品牌/商标:

    FNK

  • 封装形式:

    TO-220-3L

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 品牌/商标:

    AUK

  • 型号/规格:

    SMK2050CI

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 型号/规格:

    K1304

  • 品牌/商标:

    Hitachi/日立

  • 环保类别:

    普通型

  • 型号/规格:

    2SK2225

  • 品牌/商标:

    RENESAS(瑞萨)

  • 封装形式:

    TO3P

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 型号/规格:

    10N80

  • 品牌/商标:

    UTC(t台湾友顺)

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    管装

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    FQPF8N60C

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 最大漏极电流:

    7500

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    PTP/F8N80

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    PUOLOP

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格:

    SVF10N65F

  • 封装:

    TO220

  • 批号:

    13+

  • 属性:

    属性值

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    FQPF8N60

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-INM/独立组件

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 姚淳杰

  • 企业类型:生产厂家
  • 手机:13760337659

  • 批号:

    12+

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 类型:

    通信IC

  • 型号/规格:

    AO6704 AO6415 AO6419

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    AO

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STB21NM60ND

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 最大漏极电流:

    0

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 型号/规格:

    G40N60B3D

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2SK2003

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    SL

  • 型号/规格:

    SVF7N65

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

高压场效应管技术资料

  • 选择高压场效应管实现节能

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