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高压场效应管

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NCE70T360D高压场效应管价格
NCE70T360D高压场效应管价格
  • 型号/规格：

    NCE70T360D

  • 品牌/商标：

    NCE新洁能

  • 封装形式：

    TO-263 TO-220 TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

MEM12N60 高压场效应管IC
MEM12N60 高压场效应管IC
  • 型号/规格：

    MEM12N60

  • 品牌/商标：

    ME

  • 封装：

    TO-220F

  • 批号：

    全新原装

  • 电压：

    600V

原装ST 高压场效应管13NM60N
原装ST 高压场效应管13NM60N
  • 品牌：

    ST

  • 型号：

    13NM60N

  • 封装：

    TO220

  • 批号：

    混批

开关电源高压场效应管（HV PowerMOSFET)NK4N60
开关电源高压场效应管（HV PowerMOSFET)NK4N60
  • 型号/规格：

    NK4N60

  • 品牌/商标：

    nanker

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

拆机 大功率三*管 大电流场效应管 高压场效应管
拆机 大功率三*管 大电流场效应管 高压场效应管
  • 型号/规格：

    拆机 场效应 大功率三*管 大电流场效应管 高压场效应管

  • 品牌/商标：

    *

  • 封装形式：

    TO252 TO220 TO* TO247

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    大功率

高压场效应管6R099C6 IPA60R099C6 进口原装
高压场效应管6R099C6 IPA60R099C6 进口原装
  • 品牌：

    nfineon

  • 类别：

    分立半导体产品

  • 型号：

    IPA60R099C6

  • 参数：

    -

VDF5N60L兼容FQPF5N60C高压场效应管TO220F塑封汇沃品牌直销
VDF5N60L兼容FQPF5N60C高压场效应管TO220F塑封汇沃品牌直销
  • 品牌：

    Huiwo汇沃

  • 型号：

    VDF5N60L

  • 封装：

    其他

  • 批号：

    01

  • FET类型：

    01

  • 漏源电压（Vdss）：

    1

  • 漏极电流(Id)：

    2

  • 漏源导通电阻(RDS On)：

    2

【华强实体店】直插高压场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C/8N60
【华强实体店】直插高压场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C/8N60
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF8N60C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流：

    7500

高压场效应管 PTP/F8N80
高压场效应管 PTP/F8N80
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    PTP/F8N80

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标：

    PUOLOP

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

杭州士兰高压场效应管SVF10N65F.
杭州士兰高压场效应管SVF10N65F.
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格：

    SVF10N65F

  • 封装：

    TO220

  • 批号：

    13+

  • 属性：

    属性值

品牌代理：直插高压场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C/8N60
品牌代理：直插高压场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C/8N60
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF8N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形：

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

  • 姚淳杰

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东深圳

    • 手机：13760337659

专营AO系列高压场效应管 低压MOS管 AO6704 *原装，*十
专营AO系列高压场效应管 低压MOS管 AO6704 *原装，*十
  • 批号：

    12+

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型：

    通信IC

  • 型号/规格：

    AO6704 AO6415 AO6419

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标：

    AO

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

高压场效应管STB21NM60ND(图)
高压场效应管STB21NM60ND(图)
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STB21NM60ND

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

高压场效应管G40N60B3D
高压场效应管G40N60B3D
  • 漏*电流：

    0

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 型号/规格：

    G40N60B3D

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 沟道类型：

    N沟道

高压场效应管 2SK2003 价格面议，量大更优！
高压场效应管 2SK2003 价格面议，量大更优！
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK2003

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

原装仕兰　高压场效应管　 SVF7N65　TO-220F
原装仕兰　高压场效应管　 SVF7N65　TO-220F
  • 品牌/商标：

    SL

  • 型号/规格：

    SVF7N65

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

比亚迪高压场效应管MOS管4N60/6N60/8N60/...
比亚迪高压场效应管MOS管4N60/6N60/8N60/...
  • 品牌：

    比亚迪(BYD)

  • 型号：

    BF96N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

【高压场效应管】SVF4N65F 代理士兰微MOS管
【高压场效应管】SVF4N65F 代理士兰微MOS管
  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格：

    SVF4N65F

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    DC/直流

  • 品牌/商标：

    SILAN/士兰微

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

充电器 适配器用高压场效应管 7NA TO-220 厂家直销价优
充电器 适配器用高压场效应管 7NA TO-220 厂家直销价优
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    7N60

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标：

    OGFD

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

高压场效应管相关产品

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