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场效应MOS管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    AUIRFS4310Z

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO-263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    超大功率

  • 包装:

    800

  • 型号/规格:

    IPD042P03L3G IPD042P03L 042P03L

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    STP10NK60Z

  • 品牌/商标:

    ST(意法半导体)

  • 封装形式:

    TO-220

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 深圳市东业电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-82537350

    手机:13480624052

  • 型号/规格:

    SI2301

  • 品牌/商标:

    JCST(长电)

  • 封装形式:

    贴片S0T23

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FDD850N10L

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 类型:

    存储器

  • 品牌/商标:

    MT

  • 型号/规格:

    MT2301

  • 封装:

    SOT23-3

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    55NF06

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    NF/音频(低频)

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    TXY

  • 型号/规格:

    TXY8205-6

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 漏*电流:

    7.2A

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    AON5802,双N,DFN 2X5,30V 7.2A/30V 7.2A 2,0.02Ω

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    AO

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 夹断电压:

    12

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    NC7SZ32M5X,NC7SZ04P5X

  • 储存温度:

    -65~150℃

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 用途:

    HA/行输出级

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3205SPBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    4N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    100N10 100N10N

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    UTC/友顺

  • 型号/规格:

    2N60,TO-220

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    NIKO-SEM

  • 型号/规格:

    P2804ND5G

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 连晓洲

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 手机:13760163890

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    STP60NF06

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号:

    GT20J321

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    ST/意法

  • 型号:

    STP75NF75

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    K3673

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

场效应MOS管技术资料

  • 载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度

    意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD,可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺,由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列

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