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MOS管场效应管

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源头工厂
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  • 型号:

    FDS6680A

  • 厂家:

    FAIRCHILD/仙童

  • 批次:

    16+

  • 封装:

    SMD(SO)/表面封装

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    ROHM/罗姆

  • 型号/规格:

    2SK3065

  • 封装:

    SOT-89

  • 批号:

    2011+2012+原装现货

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP75NF75

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    Analog Power (美商亞柏半導體)

  • 型号/规格:

    AM2322N

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF6N70C FQPF6N70

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    RUICHIPS

  • 型号/规格:

    RU4099R

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    韩国信安Truesemi

  • 型号/规格:

    IRF640

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    美格纳

  • 型号/规格:

    MDF9N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    4N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    LMP-C/阻*变换

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 种类:

    场效应管

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO7600

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3415PBF 150V 43A IR代理MOS管场效应管 IRF%原装

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    4N60

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 品牌/商标:

    美国IPS

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    4N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQPF4N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 型号/规格:

    STD4NK80ZT4

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 属性:

    属性值

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    AO3400

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    DC/直流

  • 品牌/商标:

    华晶

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 型号/规格:

    CE2400 SOT-23

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    XJD兴嘉德

  • 用途:

    DC/直流

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 江钦雄

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 手机:

  • 品牌/商标:

    BYD

  • 型号/规格:

    BF98N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    *童

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

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