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富士场效应管

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源头工厂
批发富士场效应管2SK2645
批发富士场效应管2SK2645
  • 品牌：

    FUJI/富士通

  • 型号：

    2SK2645

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

FUJI富士场效应管2SK1020 *原装 大量现货
FUJI富士场效应管2SK1020 *原装 大量现货
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK1020

  • 封装：

    TO-*L

  • 批号：

    11+

富士场效应管2SK1020
富士场效应管2SK1020
  • 型号/规格：

    2SK1020

  • 品牌/商标：

    富士

  • *类别：

    普通型

2SK3675 拆机富士场效应管
2SK3675 拆机富士场效应管
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    2SK3675

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    增强型

FMV11N60E 11N60E原装富士场效应管
FMV11N60E 11N60E原装富士场效应管
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    FMV11N60E 11N60E

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    NF/音频(低频)

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

2SC2625 *供*原装富士场效应管
2SC2625 *供*原装富士场效应管
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SC2625

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 陈徐东

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 手机：15322589370

原装*，*百，2SK2850 ,K2850，富士场效应管系列
原装*，*百，2SK2850 ,K2850，富士场效应管系列
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK2850

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

拆机富士场效应管 2SK1018 K1018 原装进口 质量包好
拆机富士场效应管 2SK1018 K1018 原装进口 质量包好
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    2SK1018 K1018

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

富士场效应管2SK2651-01MR
富士场效应管2SK2651-01MR
  • 型号/规格：

    2SK2651-01MR

  • 品牌/商标：

    FUJI

  • 封装形式：

    塑料封装

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插

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