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IGBT单管

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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FAIRCHILD*童IGBT单管，IGBT管，IGBT
FAIRCHILD*童IGBT单管，IGBT管，IGBT
  • 型号/规格：

    FGA25N120ANTD，FGA15N120ANTD，FGL60N100BNTD，SGL160N60UFD，FGL40N120AND，SGH80N60UFD

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD

  • *类别：

    无铅*型

  • 深圳市泰盛科电子

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：0755-23949109

    手机：13420910641

长期IGBT单管GT60N321
长期IGBT单管GT60N321
  • 型号/规格：

    GT60N321

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 封装形式：

    TO-*L

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

FGL40N120AND 仙童原装 IGBT单管
FGL40N120AND 仙童原装 IGBT单管
  • 型号/规格：

    FGL40N120AND

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 环保类别：

    无铅环保型

富士IGBT单管1*H60-100,1*H60D-100
富士IGBT单管1*H60-100,1*H60D-100
  • 型号/规格：

    1*H60-100,1*H60D-100

  • 品牌/商标：

    fuji

  • *类别：

    无铅*型

原装IKW30N60TIKW30N60T原装 现货英飞凌IGBT单管 IKW30N60T
原装IKW30N60TIKW30N60T原装 现货英飞凌IGBT单管 IKW30N60T
  • 型号/规格：

    IKW30N60T

  • 品牌/商标：

    英飞凌

数据列表：IKW30N60T 标准包装：240 类别：分离式半导体产品 家庭：IGBT - 单路 系列：TrenchStop™ IGBT 类型：沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿（）：600VVge, Ic时的Vce（开）：2.05V @ 15V，3...

*童原装IGBT单管 FGA25N120ANTD
*童原装IGBT单管 FGA25N120ANTD
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA25N120ANTD

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

1*H60D-100IGBT单管
1*H60D-100IGBT单管
  • 品牌/商标：

    富士

  • 型号/规格：

    1*H60D-100

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 嘉林电子

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东深圳

    • 电话：86 0755 82429076

K75T60 IKW75N60T 英飞凌Infineon IGBT单管原装
K75T60 IKW75N60T 英飞凌Infineon IGBT单管原装
  • 类型：

    电源模块

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    IKW75N60T

  • 电源电流：

    75A

  • 电源电压：

    600

  • 功率：

    428W

  • 针脚数：

    3

  • 用途：

    电源，仪表仪器

IKW40T120 K40T120 英飞凌IGBT单管 1200V/40A
IKW40T120 K40T120 英飞凌IGBT单管 1200V/40A
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    K40T120

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    硅(Si)

*价IGBT单管TOSHIBA GT50J301,*原装，质量*。
*价IGBT单管TOSHIBA GT50J301,*原装，质量*。
  • 类型：

    电源模块

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    GT50J301

  • 电源电流：

    详见规格书

  • 电源电压：

    详见规格书

  • 功率：

    详见规格书

  • 针脚数：

    详见规格书

  • 用途：

    仪器

原装*童品牌IGBT单管FGL60N100BNTD
原装*童品牌IGBT单管FGL60N100BNTD
  • 型号/规格：

    FGL60N100BNTD

  • 品牌/商标：

    *童

  • *类别：

    无铅*型

IGBT单管
IGBT单管
  • 型号/规格：

    1BMH60D-100

  • 品牌/商标：

    日本富士

  • *类别：

    无铅*型

鸿利达电子 K75T60 INFINEON TOV 75A IGBT单管 现货
鸿利达电子 K75T60 INFINEON TOV 75A IGBT单管 现货
  • 应用范围：

    功率

  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    K75T60

  • 封装形式：

    TO-247

英飞凌IGBT单管 原装 IKW25T120 现货 价格 图片 代理商
英飞凌IGBT单管 原装 IKW25T120 现货 价格 图片 代理商
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    IKW25T120

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

IRG*C20K IRG*C20KDPBF IRG*C20KS IGBT单管
IRG*C20K IRG*C20KDPBF IRG*C20KS IGBT单管
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRG*C20KDPBF

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    UHF/*频

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    M*金属半导体

批量*童IGBT单管SGH40N60UFD G40N60
批量*童IGBT单管SGH40N60UFD G40N60
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    SGH40N60UFD

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    TR/激励、驱动

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

现货IKW20N60T原装英飞凌IGBT单管
现货IKW20N60T原装英飞凌IGBT单管
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    IKW20N60T

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

*原装英飞凌IGBT单管IKW25N120T2
*原装英飞凌IGBT单管IKW25N120T2
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    IKW25N120T2

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

FGL60N100焊机用*童IGBT单管
FGL60N100焊机用*童IGBT单管
  • 品牌：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号：

    FGL60N100BNTDTU

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

英飞凌IGBT单管，SKW30N60HS，SKW30N60，K30N60HS
英飞凌IGBT单管，SKW30N60HS，SKW30N60，K30N60HS
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    SKW30N60HS

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

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