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场效应模块

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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三菱场效应模块UM150CDY-10
三菱场效应模块UM150CDY-10
  • 型号/规格：

    UM150CDY-10

  • 品牌/商标：

    三菱场效应

电流：150A 电压：600V 其他产品： UM150CDY-10 MIG30J103HA 6R1TI30Y-080 2*400NT-060 PM50RSD120 4R3TI20Y-080 MG150H2CL1 PM75RHA060-1 SKKH162/16E SKKH172/16E SKKH162/22E SKD160/16 SKKT162/16E SKD62/16 SKD...

APT10050。场效应模块价格优惠
APT10050。场效应模块价格优惠
  • 品牌：

    APT美国*功率

  • 型号：

    APT10050

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    D-G双栅四*

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

拆机场效应模块E45N50
拆机场效应模块E45N50
  • 型号/规格：

    E45N50

  • 品牌/商标：

    ST

  • *类别：

    普通型

  • 零件电子

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 电话：0754-84430728

E45N50，拆机场效应模块
E45N50，拆机场效应模块
  • 型号/规格：

    E45N50

  • 品牌/商标：

    ST

  • *类别：

    普通型

  • 郭四（个体经营）

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 电话：0754-84430728

场效应模块,IXFN50N50(图)
场效应模块,IXFN50N50(图)

    品牌:IXYS 型号:IXFN50N50 封装:TO227量大价优!!

    场效应模块STE70NM50(图)
    场效应模块STE70NM50(图)

      品牌:ST 型号:STE70NM50 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型自家库存,现货*

      • 陈文强(个体经营)

      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东深圳

        • 电话：0755-61685458

      场效应模块IXFN44N50，44N50(图)
      场效应模块IXFN44N50，44N50(图)

        品牌:IXYS 型号:IXFN44N50 封装形式:功率型 装配方式:通孔插装 封装材料:金属封装 结构:平面型 营销方式:库存 应用范围:功率IXFN44N50，E53N50，38N50等，现货长期供应，拆机件，品质*！

        三社场效应模块FBA75CA50
        三社场效应模块FBA75CA50

          种类:场效应南京法思特科技有限公司是一家的电力电子元器件代理公司我们代理的产品有：三菱、三社、三垦、富士、东芝、西门子、西门康、摩托罗拉、IR、EUPEC、IXYS等国 外知名公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅...

          MITSUBISHI三菱场效应模块
          MITSUBISHI三菱场效应模块

            品牌:三菱 型号:FM50DY-9 封装形式:功率型 种类:原装 沟道类型:模块 导电方式:增强型 营销方式:现货供应FM50DY-9

            FM30DY-10 场效应模块 三菱模块
            FM30DY-10 场效应模块 三菱模块

              品牌/商标 MITSUBISHI 型号/规格 FM30DY-10 批号 02+ 封装 标准 营销方式 库存 产品性质 停产 处理信号 数模混合信号 类型 电源模块 长期供应;日本产,三菱品牌;30A/500V场效应模块本公司主要经营世界各名厂功率模块,...

              APT10050。场效应模块价格优惠
              APT10050。场效应模块价格优惠

                品牌:APT美国*功率 型号:APT10050 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:D-G双栅四* 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:500（V） 夹断电压:500（V） 低频跨导:01（&...

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