回收IGBT模块 蓝牙模块 3G模块
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18929629886
电话:18929629886
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SGH40N60UFD
FSC
无铅*型
电话:0755-88377193
手机:13670499181
WSM-400(PNE20-400P)
时代
脉冲氩弧焊机WSM-400(PNE20-400P) 技术参数 输入电压 3相380V±(15~20)% 50~60Hz 额定输入功率 17KW 空载电压 55~75V 输出电流范围 1~400A 脉冲频率范围(TIG) 0.1~500Hz 上坡时间(TIG) 0.1~99s 下坡时...
电话:0152-21078517
手机:15221078517
CM100DY-24A
MITSUBISHI(三菱)
无铅环保型
电话:021-64832037
手机:13391193711
IKW50N60T
INFINEON(英飞凌)
无铅*型
电话:0755-13590350508
手机:13590350508
品牌:西门康 型号:SKM150GB123D 批号:08 封装:模块 营销方式:现货 产品性质:*上海业荣电子科技有限公司。我公司是一的功率模块、集成电路、机电设备和液压元件供应商。专营日本三菱、富士、东芝;美国快捷、ABB、IR...
电话:021-68361005
手机:18916576762
通用
FUJI/富士通
变频器电源驱动板,控制板,模块等
EP3957-C5,EP4609-C2,EP3959-C6,EP3955,EP4083,6*75R
三相AC380-400(V)
800(kW)
不带滤波器
电压型
手机:
FAIRCHILD/*童
FGH40N65UFDTU
结型(JFET)
N沟道
增强型
NF/音频(低频)
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:
FUJI/富士通
2*100PC-140
双向
三*
金属封装
平板形
普通
不带散热片
手机:
APT/上海二工
APT110GF60JN
结型(JFET)
N沟道
增强型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
M57962AL-01R
IDC
600V600A,1200V400A
电话:0532-83026910
手机:13912494430
型号 (1 单元 1200V
西门康
广州祥瑞机电设备有限公司代理销售功率元器件:电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块 欢迎垂询 西门康IGBT模块型号 (1 单元 1200V) IGBT 技术指标 SKM 152GA123 150A/1200V/1U SKM 200GA123D 2...
电话:020-28257042
手机:13826295361
未提供
三菱,富士,西门康,EUPEC/英飞凌
无铅*型
电话:010-82772263
是
IR/国际整流器
IRGP4063DPBF IR4428S
电解
可控硅/晶闸管
大功率
中频
220(V)
电话:0755-83251336
PSHI27W
PSHI
IGBT驱动器 型号:PSHI27W/F PSHI 10.PSHI 23. PSHI 25. PSHI 26. PSHI 27. PSHI 30. PSHI 52等.....型号是专为通用IGBT开发的智能系列大功率驱动板,可以驱动1200V,1700V,3300V,6500V及600V的全系列IGBT。 产品...
电话:010-62567686
手机:13621008984
7*R15SA120
日本富士
无铅*型
电话:021-61209466
手机:13661592444
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench I...
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块...
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效,相关参数十分出色,例如,...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可...
许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP 3 IGBT模块,旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用...
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,可以在高电压和高电流条件下工作,因而被广泛应用于电力电子领域。 与MOSFET相比,IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用,例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS),以及消费类应用,例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输,MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定:电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。 IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行,在其...