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P沟道MOS场效应管

(共找到“13”条查询结果)
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源头工厂
  • 品牌:

    全新

  • 型号:

    BSS84-7-F

  • 封装:

    SOT-23

  • 批号:

    新年份

  • FET类型:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    50

  • 漏极电流(Id):

    0.13

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    10

  • 型号/规格:

    BM3401

  • 品牌/商标:

    BM

  • 封装:

    SOT/SOP

  • 批号:

    全新原装

  • 价格:

    0.5/个

  • 型号/规格:

    NTLUS3A40PZTAG

  • 品牌/商标:

    ON

  • 封装:

    UDFN-6

  • 批号:

    1501+

  • 日期:

    1502+

  • 年份:

    1503+

  • 型号/规格:

    IRF6218S

  • 品牌/商标:

    IR

  • 封装形式:

    TO263

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    AO3413

  • 品牌/商标:

    AOS

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 品牌/商标:

    台产

  • 型号/规格:

    场效应管(MOS管) 2301

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FDC602P

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    硅(SI)

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 型号/规格:

    2SJ206-T1

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

    品牌:NEC 型号:2SJ356 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:标准(V) 夹断电压:标准(V) 低频跨导:标准(μS...

    • 赵瑞霞

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东深圳
    • 电话:0755-29021052

    • 是否提供加工定制:

    • 品牌/商标:

      TOSHIBA/东芝

    • 型号/规格:

      J115

    • 应用范围:

      功率

    • 材料:

      硅(Si)

    • 极性:

      NPN型

    • 集电极允许电流ICM:

      1(A)

    • 集电极耗散功率PCM:

      1(W)

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