品牌:ME 型号:MEM2306 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型 用途:DUAL/配对管 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:20（V） 夹断电压:10（V） 耗散功率:100（mW）MEM2306系列双N...
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品牌:ME 型号:ME2318 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:O/振荡 封装外形:SP/*外形 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:20（V） 夹断电压:20（V） 低频跨导:20（μS） *间电容:30（pF） 低...
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品牌:ME 型号:ME8205 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:20（V） 夹断电压:20（V） 描述:ME8205系列 共漏*N沟道增强型功率场效应（...
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英特尔（Intel）下周将发表首款整合绘图与影片处理效能的处理器芯片架构，瞄准行动装置市场，并进一步威胁超威（AMD）和英伟达（Nvidia）的绘图芯片业务。英特尔执行长欧德宁将于13日起举行的英特尔科技论坛（IDF）上，发表这款名为「SandyB
摘要：根据无线视频传输的基本特点,提出了一种用于无线显示适配器的传输方案。在分析了目前成熟的无线技术的基础上,选择无线局域网IEEE802.11G作为传输技术。在此基础上分析传输层的协议以及 IEEE802.11G的媒体访问控制层的传输特性,并通过实验确定RTP作为网络传输协议,以及确定无线视频传输...
