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IGBT

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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FS225R12KE3/AGDR-82C 全新原装ABB配件IGBT驱动板模块
FS225R12KE3/AGDR-82C 全新原装ABB配件IGBT驱动板模块
  • 型号/规格：

    FS225R12KE3/AGDR-82C

  • 品牌/商标：

    ABB

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 价格：

    12660.0

  • 上海艾斯达电子

  • 供应商等级：
  • 企业类型：经销商
  • 地区:上海上海市

    • 电话：021-51035787

    手机：13764678882

集成电路IC MOS管 IGBT等 各种主被动器件
集成电路IC MOS管 IGBT等 各种主被动器件
  • 型号/规格：

    TPS62097RWKR

  • 品牌/商标：

    TI

  • 封装：

    VQFN11

  • 批号：

    22+

FF1400R12IP4英飞凌IGBT模块
FF1400R12IP4英飞凌IGBT模块
  • 型号/规格：

    FF1400R12IP4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 电压：

    1200V

  • 电流：

    1400A

  • 批号：

    2019+

  • 工作稳定范围：

    -40C ~ 150C

富士IGBT模块：2MBI 150N-060
富士IGBT模块：2MBI 150N-060
  • 型号/规格：

    2MBI 150N-060

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 品牌：

    富士

  • 交期：

    原装现货

  • 频率：

    中频

销售英飞凌一流品质FF300R12KE3进口 IGBT
销售英飞凌一流品质FF300R12KE3进口 IGBT
  • 型号/规格：

    FF300R12KE3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 晶闸管：

    100

  • 可控硅：

    100

  • 二极管：

    100

  • IGBT：

    100

  • IPM：

    100

全新ABB西门康IGBT模块5SNA 1500E330305
全新ABB西门康IGBT模块5SNA 1500E330305
  • 型号/规格：

    5SNA 1500E330305

  • 品牌/商标：

    ABB

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 价格：

    4980.0

全新原装英飞凌IGBT模块FF600R12KE4
全新原装英飞凌IGBT模块FF600R12KE4
  • 型号/规格：

    FF600R12KE4

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装：

    原装标准

  • 批号：

    21

BSM150GT120DN2 BSM100GT120DN2IGBT模块
BSM150GT120DN2 BSM100GT120DN2IGBT模块
  • 型号/规格：

    BSM150GT120DN2

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 产地：

    德国英飞凌

  • 封装：

    原装

  • 批号：

    两年内

  • 数量：

    3000

富士IGBT模块6MBI150VX-120-80 6MBI180VB-120-50 6MBI180VB-120-55全新原装现货
富士IGBT模块6MBI150VX-120-80 6MBI180VB-120-50 6MBI180VB-120-55全新原装现货
  • 型号/规格：

    6MBI150VX-120-80

  • 品牌/商标：

    富士

  • 环保类别：

    普通型

  • 批号：

    21+

  • 封装：

    Tube

  • 包装：

    原盒包装

  • 产地：

    日本

IR原装IGBT——IRGS14C40L
IR原装IGBT——IRGS14C40L
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRGS14C40L

  • 种类：

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 开启电压：

    2.2（V）

英飞凌IGBT模块FP25R12KT4_B15 FP25R12KS4C FP35R12KT4
英飞凌IGBT模块FP25R12KT4_B15 FP25R12KS4C FP35R12KT4
  • 型号/规格：

    FP25R12KT4_B15

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    普通型

  • 封装：

    Tube

  • 包装：

    原装标准

  • 产地：

    德国

  • 批号：

    21+

富士IGBT模块1MBI300NN-120 1MBI400NN-120 1MBI300NP-120
富士IGBT模块1MBI300NN-120 1MBI400NN-120 1MBI300NP-120
  • 型号/规格：

    1MBI300NN-120

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 环保类别：

    普通型

  • 批号：

    21+

  • 封装：

    Tube

  • 包装：

    原盒包装

  • 产地：

    德国

富士FUJIIGBT功率模块1MBI600VF-120-50全新原装现货
富士FUJIIGBT功率模块1MBI600VF-120-50全新原装现货
  • 型号/规格：

    1MBI600VF-120-50

  • 品牌/商标：

    FUJITSU(富士通)

  • 批号：

    21+

  • 封装：

    tube

  • 包装：

    原盒包装

  • 产地：

    德国

FP50R12KT3 进口英飞凌7单元IGBT模块
FP50R12KT3 进口英飞凌7单元IGBT模块
  • 型号/规格：

    FP50R12KT3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 批号：

    2019

  • 工作：

    -10

  • 包装：

    标准包装

代理富士IGBT，可控硅（FUJI IGBT）
代理富士IGBT，可控硅（FUJI IGBT）
  • 型号/规格：

    1*600PX-140

  • 品牌/商标：

    FUJI

  • *类别：

    普通型

IGBT模块SKIIP20NAB126VI
IGBT模块SKIIP20NAB126VI
  • 型号/规格：

    SKIIP24NAB126V1

  • 品牌/商标：

    西门康

  • *类别：

    无铅*型

IGBT，FGL60N100BNTD IGBT *童*原装热卖
IGBT，FGL60N100BNTD IGBT *童*原装热卖
  • 品牌/商标：

    FCH美国范恰得

  • 型号/规格：

    FGL60N100BNTD

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

易特流焊机IGBT板
易特流焊机IGBT板
  • 型号/规格：

    4.0Q E5M 630M2M

  • 品牌/商标：

    易特流

  • 控制方式：

    逆变

  • 冷却方式：

    温控冷却风扇

松下IGBT控制铝焊机YD-500GP
松下IGBT控制铝焊机YD-500GP
  • 型号/规格：

    YD-500GP

  • 品牌/商标：

    松下

  • 输入电压：

    380V

  • 输出电流：

    500A

IGBT行业资讯

什么是IGBT?

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

  • 目录

    IGBT

IGBT技术资料

  • 什么是IGBT？IGBT的原理

    IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。　　与MOSFET相比，IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...

  • IGBT 应用笔记

    利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS)，以及消费类应用，例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...

  • MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用

    MOSFET 和 IGBT 技术　　由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。　　IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行，在其...

IGBT相关产品

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