IRFR4104TRPBF
IR
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
电话:0574-86096610
手机:13738460258
P-DIT/塑料双列直插
PTP/F8N80
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
PUOLOP
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:
IR/国际整流器
IRFP064N
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
GEP/互补类型
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
手机:
CER-DIP/陶瓷直插
4N65 T0-220
ALGaAS铝镓砷
SW-REG/开关电源
SILAN/士兰微
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:86 0574 87737972
IRF4905PBF
IR/国际整流器
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0574-86897190
手机:18667837937
其他IC
ME微盟
ME2301M
SOT23-3L
09
电话:0574-189678335
CET台湾华瑞
CEP75N06
品牌/商标 CET台湾华瑞 型号/规格 CEP75N06 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 LMP-C/阻*变换 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 IGBT*缘栅比* 开启电压 60(V) 夹断电压 X(V) 低频跨导 X(&...
电话:0574-27660920
ST/意法
75NF75
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
电话:0574-63804151
UTC/友顺
4N60-B
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
属性值
电话:0574-87296446
为使 N 沟道结型场效应管能正常工作,应在其栅-源之间加负向电压(即u<0),以保证耗尽层承受反向电压;在漏-源之间aD5,加正向电压ups,以形成漏极电流iu<0,既保证了栅- 源之间内阻很高的特点,又实现了。u.对沟道电流的控制。 u下面通过栅-源电压uc和...
1.判别电极与管型 (1)将万用表的转换开关置于电阻挡的RX100挡或RXlk挡。 (2)用黑表笔任接一个电极,用红表笔依次触碰另外曲个电极,进行测量。 (3)判断:若两次测得的电阻阻值近似相等,则表明该黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源极S和漏极D...
我们常接触到,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多,根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场...