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场效应IGBT

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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源头工厂
场效应IGBT模块
场效应IGBT模块
  • 品牌/商标：

    Mitsubishi/三菱

  • 型号/规格：

    场效应IGBT模块

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

*童场效应IGBT，SGH40N60UFD,G40N60UFD
*童场效应IGBT，SGH40N60UFD,G40N60UFD
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N60UFD,SGL160N60UFD

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    AM/调幅

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

美国*童FAIRCHILD 场效应IGBT 原装 现货批发
美国*童FAIRCHILD 场效应IGBT 原装 现货批发
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA25N120ANTDTU

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    CC/恒流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

场效应IGBT
场效应IGBT

    品牌:ST 型号:TIP36CW 批号:09+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:小规模 规格尺寸:11（mm） 工作温度:-40~85（℃） 静态功耗:11（mW）热卖！

    场效应IGBT15N120
    场效应IGBT15N120

      品牌:*童 型号:FGA15N120 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 原装现货

      • 骏锐电子有限公司

      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东深圳

        • 电话：0755-82532130

      供场效应IGBT、H15R1202、H15R120
      供场效应IGBT、H15R1202、H15R120

        品牌:英飞凌 型号:H15R1202 批号:10+ 封装:TO-247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 工作温度:-40~125（℃）*原装

        场效应IGBT
        场效应IGBT

          特色标志:* 品牌:IR 型号:IRFP460PBF 封装:TO-247 种类:结型(JFET)

          场效应IGBT
          场效应IGBT

            型号:各种IGBT 厂家:*品牌 封装:各种封装荣兴电子是一家集生产,经营,销售为一体的大型电子元件配套公司,产品质量*,价格合理;公司主营整流桥,水泥电阻/线绕电阻/碳膜电阻,金属膜电阻,电解电容,金属氧化膜,霍尔元件,集...

            *场效应IGBT管:HGTG11N120CND
            *场效应IGBT管:HGTG11N120CND

              品牌:FAIRCHILD 型号:HGTG11N120CND 批号:09 封装:A 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:原厂标准（mm） 工作温度:-40~85（℃） 静态功耗:原...

              场效应IGBT
              场效应IGBT

                品牌:*童 型号:G23N60UFD.SGF23N60UFD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:600（V） 夹断电压:600（V） 低频跨导:...

                二三*管IC可控硅场效应IGBT
                二三*管IC可控硅场效应IGBT

                  品牌/商标 ADI 型号/规格 AD7705BNZ 批号 0945+ 封装 DIP-16 营销方式 现货 产品性质 * 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 类型 驱动IC

                  *场效应IGBT H25R1202
                  *场效应IGBT H25R1202

                    品牌:英飞凌 型号:H25R1202 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:·（V） 夹断电压:·（V） 低频跨导:&mid...

                    场效应IGBT管HGTG11N120CND
                    场效应IGBT管HGTG11N120CND

                      品牌:*童 型号:HGTG11N120CND 批号:10+ 封装:TO* 营销方式:现货 产品性质:* 制作工艺:半导体集成HGTG11N120CND *童 TO*封装 原装现货供应深圳市伟隆达电子是一家以代理经销世界各知名品牌集成电路为，集产品销售、方...

                      • 徐伟

                      • 供应商等级： 免费会员
                      • 企业类型：经销商
                      • 地区:广东深圳

                        • 电话：0755-28195839

                      场效应IGBT，G23N60,23N60
                      场效应IGBT，G23N60,23N60

                        品牌:FAIRCHILD飞兆 型号:SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N6UFD,SGL160N60UFD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:电源类，电焊机设备 夹断电压:600（V）亿隆半导体有限公司是一家...

                        场效应IGBT，IRGP30B120KD-E
                        场效应IGBT，IRGP30B120KD-E

                          品牌:IR 型号:IRGP30B120KD-E 封装:TO-247AD *限电压:1200（V） *限电流:30（A） 用途:用于设备的电源部分 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道型号：IRGP30B120KD-E描述：1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a...

                          场效应IGBT，SGH23N60,23N60
                          场效应IGBT，SGH23N60,23N60
                          • 品牌/商标：

                            FAIRCHILD飞兆

                          • 型号/规格：

                            SGP13N60UFD,SGH23N60UFD,SGH40N60UFD,SGH80N6UFD,SGL160N60UFD

                          • 种类：

                            绝缘栅(MOSFET)

                          • 沟道类型：

                            N沟道

                          • 导电方式：

                            增强型

                          • 用途：

                            电源类，电焊机设备

                          • 封装外形：

                            CER-DIP/陶瓷直插

                          • 材料：

                            GE-N-FET锗N沟道

                          场效应IGBT，IRGP30B120KD-E
                          场效应IGBT，IRGP30B120KD-E
                          • 品牌/商标：

                            IR/国际整流器

                          • 型号/规格：

                            IRGP30B120KD-E

                          • 种类：

                            绝缘栅(MOSFET)

                          • 沟道类型：

                            N沟道

                          • 导电方式：

                            耗尽型

                          • 用途：

                            VA/场输出级

                          • 封装外形：

                            CER-DIP/陶瓷直插

                          • 开启电压：

                            -（V）

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