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拆机场效应管

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源头工厂
  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFP440

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF630

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

    我司长期供应拆机三*管、场效应管、肖特基、集成电路等电子元件,产品都经过检测质量*,型号众多,欢迎来电联系!: 陈少庆"

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 型号/规格:

      IRFP4368

    • 用途:

      MW/微波

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 导电方式:

      增强型

    • 品牌/商标:

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格:

      20N60,11N60 10N60 8N60 7N60 6N60

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      MOS-TPBM/三相桥

    • 封装外形:

      CHIP/小型片状

    • 材料:

      ALGaAS铝镓砷

    • 品牌/商标:

      ST/意法

    • 型号/规格:

      STP75NF75

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      L/功率放大

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌:

      IR/国际整流器

    • 型号:

      IRF740

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      L/功率放大

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 型号/规格:

      2N08L07

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 品牌/商标:

      INFINEON/英飞凌

    • 用途:

      S/开关

    • 材料:

      M*金属半导体

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 品牌/商标:

      各种*厂家

    • 型号/规格:

      FQPF19N20C

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 型号/规格:

      IRF830,IRF840

    • 品牌/商标:

      IR

    • 封装形式:

      T0-220

    • *类别:

      无铅*型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      单件包装

    • 品牌:

      FAIRCHILD/*童

    • 型号:

      2N60

    品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 2N60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 夹断电压 600(V) 漏*电流 200(mA)

    • 品牌/商标:

      ST/意法

    • 型号/规格:

      75NF75

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      HG/高跨导

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      IGBT*缘栅比*

    • 陈少庆

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东深圳
    • 电话:0755-27780247

    • 封装外形:

      LLCC/无引线陶瓷片载

    • 型号/规格:

      IRF540N

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 用途:

      MAP/匹配对管

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式:

      增强型

    • 品牌:

      IR美国国际整流器公司

    • 型号:

      2SK1522.2SK1837.IRFP460.IRFP450.

    品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 2SK1522.2SK1837.IRFP460.IRFP450. 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1...

    • 品牌/商标:

      IXY美国电报半导体

    • 型号/规格:

      IXGQ180N33TG

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      HA/行输出级

    • 封装外形:

      SP/*外形

    • 材料:

      GE-N-FET锗N沟道

    • 陈文强(个体经营)

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东深圳
    • 电话:0755-61685458

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 型号/规格:

      IRFP448

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格:

      FQPF9N50C

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      MOS-FBM/全桥组件

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      GE-P-FET锗P沟道

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 型号/规格:

      PHB95N03

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 用途:

      MOS-INM/独立组件

    • 品牌/商标:

      PHILIPS/飞利浦

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      绝缘栅(MOSFET)

    • 导电方式:

      增强型

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