FGA25N120
FAI
TO-*
普通型
直插式
散装
*率
中频
电话:0754-89972709
手机:15989811809
FAIRCHILD/*童
25N120
结型(JFET)
P沟道
耗尽型
UNI/一般用途
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15989735439
英飞凌 IXYS
H20R1202 H20T120 IXGH20N120BD1
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:
FAIRCHILD/*童
FGA15N120 FGA25N120
结型(JFET)
P沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
INFINEON/英飞凌
H20R120,K25T120
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:15916661879
INFINEON/英飞凌
K40T120
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:
INFINEON/英飞凌
H20R120
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
DC/直流
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15018363241
InterFET美国
IGW30N100T
结型(JFET)
N沟道
增强型
HI-REL/高*性
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
手机:
P-DIT/塑料双列直插
H15R120 ,H15T120,K15T120
GE-N-FET锗N沟道
MW/微波
INFINEON/英飞凌
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:
IR/国际整流器
IRG4PH50UD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MW/微波
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
电话:86 0754 89972853
手机:13536859605
TO-247
FGA25N120AND FGA25N120ANTD
硅(Si)
FAIRCHILD/*童
功率
电话:86 0754 89972709
直插型
H15T120
硅(Si)
INFINEON/英飞凌
微波
电话:0754-84477361
品牌/商标 * 型号/规格 18N120 应用范围 开关 功率特性 *率 频率特性 *频 *性 NPN型 结构 点接触型 材料 锗(Ge) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT A(MHz) 集电*允许电流ICM A(A) 集电*耗散功率PCM ...
电话:688-007190
CER-DIP/陶瓷直插
H15R120
GE-N-FET锗N沟道
MIN/微型
INFINEON/英飞凌
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0754-82201262
*童(飞兆)
G40N150D
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
电话:0754-84485397
是
*
18N120
带阻尼
硅(Si)
NPN型
v(V)
a(A)
电话:0754-84492112