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电磁炉管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    FGA25N120

  • 品牌/商标:

    FAI

  • 封装形式:

    TO-*

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特性:

    *率

  • 频率特性:

    中频

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    25N120

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    英飞凌 IXYS

  • 型号/规格:

    H20R1202 H20T120 IXGH20N120BD1

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FGA15N120 FGA25N120

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    H20R120,K25T120

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    K40T120

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    H20R120

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    InterFET美国

  • 型号/规格:

    IGW30N100T

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HI-REL/高*性

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    H15R120 ,H15T120,K15T120

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    MW/微波

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRG4PH50UD

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    IGBT*缘栅比*

  • 王德金

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:86 0754 89972853

    手机:13536859605

  • 封装形式:

    TO-247

  • 型号/规格:

    FGA25N120AND FGA25N120ANTD

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 应用范围:

    功率

  • 陈柳洲

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:86 0754 89972709

  • 封装形式:

    直插型

  • 型号/规格:

    H15T120

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 应用范围:

    微波

  • 方泽雄

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-84477361

    品牌/商标 * 型号/规格 18N120 应用范围 开关 功率特性 *率 频率特性 *频 *性 NPN型 结构 点接触型 材料 锗(Ge) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT A(MHz) 集电*允许电流ICM A(A) 集电*耗散功率PCM ...

    • 谢海生

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:生产加工
    • 地区:广东汕头
    • 电话:688-007190

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 型号/规格:

      H15R120

    • 材料:

      GE-N-FET锗N沟道

    • 用途:

      MIN/微型

    • 品牌/商标:

      INFINEON/英飞凌

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式:

      增强型

    • 欧阳泽涛

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:生产加工
    • 地区:广东汕头
    • 电话:0754-82201262

    • 品牌/商标:

      *童(飞兆)

    • 型号/规格:

      G40N150D

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料:

      IGBT*缘栅比*

    • 是否提供加工定制:

    • 品牌/商标:

      *

    • 型号/规格:

      18N120

    • 应用范围:

      带阻尼

    • 材料:

      硅(Si)

    • *性:

      NPN型

    • 击穿电压VCBO:

      v(V)

    • 集电*允许电流ICM:

      a(A)

    • 黄小春

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:生产加工
    • 地区:广东汕头
    • 电话:0754-84492112

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