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场效应IGBT

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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源头工厂
【场效应IGBT管】44N50 TO-*L
【场效应IGBT管】44N50 TO-*L
  • 品牌/商标：

    *

  • 型号/规格：

    44N50

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

大功率场效应IGBT:IRG4PF50WD
大功率场效应IGBT:IRG4PF50WD
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRG4PF50WD

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

场效应IGBTRJP3057
场效应IGBTRJP3057
  • 加工定制：

    否

  • 品牌/商标：

    REN*AS/瑞萨

  • 型号/规格：

    RJP3057

  • 应用范围：

    功率

  • 材料：

    硅(Si)

  • *性：

    NPN型

  • 击穿电压VCEO：

    330（V）

  • 集电*允许电流ICM：

    70（A）

大功率场效应IGBT：IRFP264
大功率场效应IGBT：IRFP264

    品牌:INR美德国际整流器件 型号:IRFP264 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 材料:N-FET硅N沟道本公司长期备有大量现货,价格优惠,拆机件质量*,货源充足,供应电子元气件应用范围：电磁炉、变频器、逆...

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