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IGBT

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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长期IGBT单管GT60N321
长期IGBT单管GT60N321
  • 型号/规格：

    GT60N321

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 封装形式：

    TO-*L

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

价拆机 电磁炉三*管 高压管 大功率三*管 IGBT
价拆机 电磁炉三*管 高压管 大功率三*管 IGBT
  • 型号/规格：

    FGA15N120 H20T120 K25T120 2SK790 2SK793 2SK794 2SK1049 2SK1081 2SK1082 2SK1358

  • 品牌/商标：

    *

  • 封装形式：

    TO*

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    袋装

  • 功率特性：

    大功率

  • 频率特性：

    高频

现货IGBT模块 7MBR75SB060-50 富士FUJI
现货IGBT模块 7MBR75SB060-50 富士FUJI
  • 型号/规格：

    7MBR75SB060-50

  • 品牌/商标：

    SANYO（三洋）

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 汕头市金佳盛电子

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 电话：0754-84496059

    手机：15913998825

大电流场效应管 IGBT MOS管IRFP150
大电流场效应管 IGBT MOS管IRFP150
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    IRFP150

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途：

    L/功率放大

  • 品牌/商标：

    IRFP150

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

IGBT管1*H30D-060
IGBT管1*H30D-060
  • 品牌：

    FUJI/富士通

  • 型号：

    1*H30D-060

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MW/微波

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

场效应管,拆机件,47N60 价格优势! IGBT 47A 600V
场效应管,拆机件,47N60 价格优势! IGBT 47A 600V
  • 品牌：

    SANYO,HJACHI,TOS,NEC,FJD等*厂家,台厂

  • 型号：

    2SK47N60

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    CC/恒流

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

G4P*0UD 二三*管，MOS场效应 IGBT系列
G4P*0UD 二三*管，MOS场效应 IGBT系列
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    G4P*0UD

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

拆机IGBT管GT60M301，GT60M302，GT60M303
拆机IGBT管GT60M301，GT60M302，GT60M303
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    GT60M301

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

拆机三*管IGBT场效应IRG4PC30W质量*，*
拆机三*管IGBT场效应IRG4PC30W质量*，*
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRG4PC30W

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

批发拆机三*管IGBT管H30R1602 IHW30N160R2质量*，安耐电子
批发拆机三*管IGBT管H30R1602 IHW30N160R2质量*，安耐电子
  • 应用范围：

    带阻尼

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA40N60UFD FGA40N60UFD

  • 材料：

    硅(Si)

  • 封装形式：

    TO-*

*变频*管 IGBT管FGL40N120AND
*变频*管 IGBT管FGL40N120AND
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGL40N120AND

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

IGBT场效应管STGB10*37LZ
IGBT场效应管STGB10*37LZ
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STGB10*37LZ

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

IGBT汽车点火器FGB3040CS
IGBT汽车点火器FGB3040CS
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGB3040CS

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

【场效应IGBT管】44N50 TO-*L
【场效应IGBT管】44N50 TO-*L
  • 品牌/商标：

    *

  • 型号/规格：

    44N50

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

场效应管IGBT，RJP3047
场效应管IGBT，RJP3047

    供应场效应管IGBT，RJP3047供应场效应管IGBT，RJP3047 供应场效应管IGBT，RJP3047 供应场效应管IGBT，RJP3047供应场效应管IGBT，RJP3047

    IXEH40N120D1 IGBT单管,原装*拆机件,质量包好
    IXEH40N120D1 IGBT单管,原装*拆机件,质量包好
    • 品牌/商标：

      IXYS/艾赛斯

    • 型号/规格：

      IXEH40N120D1

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 漏*电流：

      60（mA）

    • 耗散功率：

      300（mW）

    价拆机件IGBT管APT40GT60BR
    价拆机件IGBT管APT40GT60BR
    • 品牌/商标：

      APT美国*功率

    • 型号/规格：

      APT40GT60BR

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    FGA25N120ANTD,FGA25N120,25N120电磁炉IGBT,变频器IGBT
    FGA25N120ANTD,FGA25N120,25N120电磁炉IGBT,变频器IGBT
    • 品牌/商标：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格：

      FGA25N120ANTD,FGA25N120,25N120

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      A/宽频带放大

    • 封装外形：

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 材料：

      ALGaAS铝镓砷

    *SGW25N120[IGBT]
    *SGW25N120[IGBT]
    • 品牌/商标：

      INFINEON/英飞凌

    • 型号/规格：

      SGW25N120

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      MW/微波

    • 封装外形：

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    长期大量优质拆IGBT---机场效应G80N60UFD
    长期大量优质拆IGBT---机场效应G80N60UFD
    • 品牌：

      FAIRCHILD/*童

    • 型号：

      G80N60UFD

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      耗尽型

    • 用途：

      DUAL/配对管

    • 封装外形：

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料：

      GE-N-FET锗N沟道

    IGBT行业资讯

    什么是IGBT?

    • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    • 目录

      IGBT

    IGBT技术资料

    • 什么是IGBT？IGBT的原理

      IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，可以在高电压和高电流条件下工作，因而被广泛应用于电力电子领域。　　与MOSFET相比，IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...

    • IGBT 应用笔记

      利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS)，以及消费类应用，例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...

    • MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用

      MOSFET 和 IGBT 技术　　由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定：电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。　　IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行，在其...

    IGBT相关产品

    电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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