Axiometrix Solutions工业测试集团旗下制造商imc Test & Measurement，发布了最新版imc FAMOS 2024数据分析软件。imc FAMOS 2024为工程师、研究人员和技术人员提供了一款增强型的数据分析软件，新版本进一步提升用户体验，新增“开始页”和新功能，用户可...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm SMD封装。这款OptiMOS 7 80 V产品 非常适合...
New Yorker Electronics 的目标是通过在 Vishay 的单个 3.3 x 3.3mm 封装中存储一对对称 80V n 沟道 MOSFET 来取代 PowerPAK 1212 封装 MOSFET。 Vishay SiZF4800LDT 双 MOSFET cct 据《纽约客》报道，该器件名为 SiZF4800LDT，“为设计人员提供了用于...
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能...
Teledyne Technologies旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash? CMOS图像传感器系列，推出Flash 2K LSA，该产品专门适用于需要使用大沙伊姆弗勒角度（LSA）的激光轮廓应用。 全新Flash 2K LSA图像传感器专为使用大沙伊姆弗勒角度的...
1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中，...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中，开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能，开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中，开关被用做传输门，并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...
图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中，用D S间断开的线段表示Vcs=0时...
