西安瑞新电力电子有限责任公司是集生产、研发、市场推介于一体的半导体器件公司，自主生产各种电力半导体器件及新型电力元器件。产品规格*，可满足各种用户的需求，同时经销国外电力子元件及国内电子元件的各类配套...
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西正
ZP20A
单向
三*
金属封装
螺旋形
普通
带散热片
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广腾/GT241-ZXR 300A/1400V
20*30*40（mm）
旋转整流管
旋转整流管
4（Kg）kg
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包装材料:纸类 包装类型:箱 适用对象:其他 适用行业:其他 物料类型:固体优派克EUPEC可控硅/整流管模块 Bridge Rectifier / AC-Switchesup to 800V Diode Bridges with BC and NTC DDB2U30N08VR DDB6U30N08VRup to 16...
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型号:KP系列 电流:200-4500（A） 电压:400-6600（V） 触发电流:40-200（A） 结温:125（℃） 封装形式:平板型陶瓷封装产品主要应用于铁路牵引、电力工业、冶金工业、城市轨道交通、化工、新能源等领域。公司技术装备...
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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower(CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650V、1A器件，可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器，以及工业应用中的功率...
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性，主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF—平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的正向平均电流。该电流由PN结的结
与SBD相比，SR可以承受更高的阻断电压。 表1 给出了UMOS管和VMOS管两种结构的性能参数。 表1 UMOS管和VMOS管结构的性能参数比较 由表1 可知，用做SR的MOS管比较好的器件是UMOS。而且，对同一系列的SR，额定阻断电压越高，RDS(on)越大。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dz...
功率MOS管有寄生的二极管，称为体二极管，其恢复时间trr与存储在体二极管内的多余电荷成正比。一般功率MOS管的体恢复时间trr约为200ns，希望皿体二极管的trr也和SBD一样，能控制在10ns左右。此外，体二极管的通态损耗与其正向压降UF成正
SR的功耗，可以用式（7－5）近似表示： 式中 项——正向通态损耗，其中IFrms为正向电流有效值； RDS（on）——功率MOS管的通态电阻； 第二项——开关过程中功率MOS管输入电容Cin充放电引起的损耗，其中f为开关频率； Cin——等效输人电容； UG...
