英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET,针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥(DAB)、HE...
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具...
Tenstorrent 和 MosChip Technologies 今天宣布,他们正在合作设计 Tenstorrent 的尖端 RISC-V 解决方案。通过选择 MosChip Technologies,Tenstorrent 将大力推动其自身及其客户在物理设计、DFT、验证和 RTL 设计服务方面的合作,大力推进 RISC-V 解决方案的...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...
图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,用D S间断开的线段表示Vcs=0时...