您现在的位置:首页 > 元器件(最新) >

IGBT

(共找到“0”条查询结果)
锡林郭勒盟
广东
浙江
新疆
河北
内蒙古
山西
吉林
黑龙江
江苏
辽宁
安徽
福建
江西
山东
河南
湖北
湖南
广西
海南
贵州
云南
西藏
四川
青海
陕西
甘肃
宁夏
台湾
澳门
香港
源头工厂

IGBT行业资讯

什么是IGBT?

  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
  • IGBT

IGBT技术资料

  • 什么是IGBT?IGBT的原理

    IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件,结合了MOSFET和双极型晶体管的优点,可以在高电压和高电流条件下工作,因而被广泛应用于电力电子领域。  与MOSFET相比,IGBT具有更低的驱动电压和更高的开...

  • IGBT 应用笔记

    利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用,例如太阳能系统逆变器和不间断电源 (UPS),以及消费类应用,例如等离子显示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹饪加热器中的加热器控制、功率因数校正 (PFC) 电路空调中的逆变器以及相机中...

  • MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用

    MOSFET 和 IGBT 技术  由于不存在少数载流子传输,MOSFET 可以以更高的频率进行开关。对此的限制由两个因素决定:电子穿过漂移区的传输时间以及对输入栅极和米勒电容充电和放电所需的时间。  IGBT 继承了 MOSFET 和 BJT 的优点。它作为 MOSFET 运行,在其...

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购IGBT进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的IGBT信息由会员自行提供,IGBT内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买IGBT产品风险,建议您在购买IGBT相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务",买卖都安全。