Vishay推出的新款60 V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款60 V TrenchFET?第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下导通电阻降至4 mW，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封装。Vishay...
摘要 随着新能源时代的到来，车载充电机（OBC）以及光伏逆变器（PV inverter）等新能源应用带来了数字控制开关电源的高速发展。 在开关电源的组成中，栅极驱动器作为...
设计应用 时间：2022/2/28 阅读：1026
Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路
器件专门用于标准栅极驱动电路，栅极电荷低至22.5 nC，QOSS为34.2 nC，采用PowerPAK? 1212-8S封装。 宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET...
新品速递 时间：2019/8/13 阅读：1067
