CMOS工艺

CMOS工艺资讯

瑞萨电子推出业界首款CMOS工艺集成化CDR,扩展其光通信产品组合,适用于PAM4应用

半导体解决方案供应商瑞萨电子集团(TSE:6723)今日宣布,将其业界 的光通信产品组合与备受市场欢迎的微控制器(MCU)、时序和功率器件相结合,推动电信和数据中心系统的快速部署。 推上市的瑞萨光互连产品家族有 首款基于200G(4x50...

分类:新品快报 时间:2021/1/18 阅读:536 关键词:瑞萨电子

下个十年英特尔或甩开CMOS工艺,MESO降低10-30倍功耗

英特尔这么多年来背负着牙膏厂的外号而无处伸冤,说到底这事还是跟摩尔定律到头了有关,现有的CMOS半导体工艺正在逼近物理极限,提高性能、降低功耗都不容易。未来十年的计算时代中,CMOS工艺很有可能就被新技术取代了,英特尔日前联合加...

分类:名企新闻 时间:2018/12/5 阅读:457 关键词:CMOS工艺英特尔

Avago Technologies于28nm CMOS工艺达成32Gbps的SerDes性能

AvagoTechnologies(Nasdaq:AVGO)为有线、无线和工业应用模拟接口零组件供应商宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已经达到32Gbps的性能,并且可以承受高达40dB的通道损耗,这个的SerDes核心不仅仅

时间:2013/7/24 阅读:1119 关键词:AvagoSerDes

芯科打造全新CMOS工艺的隔离式栅极驱动器

导读:光电耦合驱动器由于基于LED技术,信号输出容易受到输入电流、温度和老化的影响,而Si826x隔离式栅极驱动器可以消除以上影响。特别是输入开关电流的变化减小,开发人员无需担心老化的影响,由此可简化系统设计。由于具有更高的器件...

分类:新品快报 时间:2013/5/10 阅读:910 关键词:CMOS驱动器

Silicon Labs推出业界首款基于CMOS工艺的数字解决方案

高性能模拟与混合信号IC领导厂商SiliconLabs(芯科实验室有限公司,NASDAQ:SLAB)今日宣布推出业界首款基于CMOS工艺的数字解决方案,可直接替换光电耦合隔离式栅极驱动器(简称光电耦合驱动器)。新型Si826x隔离式栅极驱动器支持高

时间:2013/5/9 阅读:840 关键词:CMOSLabsSilicon

IMEC与NVIDIA共同研发先进CMOS工艺

近日,比利时注明的独立微电子研究机构IMEC宣布与以设计显示芯片和主板芯片组为主的半导体公司英伟达(NVIDIA)达成合作协议,共同致力于先进CMOS工艺的研发。签署这份为期三年的协议后,NVIDIA将成为IMEC的InSite核心级别无工厂合作伙

分类:名企新闻 时间:2011/5/31 阅读:914 关键词:CMOSNVIDIA

Avago在40纳米CMOS工艺技术上取得重大突破

作为通信、工业和消费类应用提供模拟接口组件的供应商AvagoTechnologies(Nasdaq:AVGO),今天宣布已在40纳米CMOS工艺技术上取得28Gbps的串化器/并化器(SerDes)性能表现。这一里程碑标志着集成SerDes知识

分类:业界要闻 时间:2010/11/8 阅读:217 关键词:AvagoCMOS

Avago在40纳米CMOS工艺技术上取得突破

AvagoTechnologies宣布已在40纳米CMOS工艺技术上取得28Gbps的串化器/并化器(SerDes)性能表现。这一里程碑标志着集成SerDes知识产权(IP)的专用集成电路(ASIC)可实现更高的带宽应用,从而提高数据在服务器、路由

分类:业界要闻 时间:2010/11/5 阅读:263 关键词:AvagoCMOS

台积电计划年底进行28nm CMOS工艺生产

按台湾经济新闻报道,为了满足Altera的FPGA芯片,台积电计划年底推出28nmCMOS工艺量产。台积电为了与竞争对手GlobalFoundries及UMC的竞争,计划在它新竹科学园区的Fab12中进行小批量的28nm工艺生产。今年2月及4月Al

分类:名企新闻 时间:2010/10/22 阅读:1710 关键词:28nmCMOS

恩智浦将推出50种采用SiGe:C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品

恩智浦半导体(NXPSemiconductors)近日宣布推出一系列采用SiGe(硅锗)工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品,旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe

分类:名企新闻 时间:2010/5/24 阅读:489 关键词:恩智浦微波产品

CMOS工艺技术

基于Mixed-Signal CMOS工艺技术实现16位D/A转换器的设计

随着微电子技术的快速发展,数模转换器(DAC)作为连接数字世界和模拟信号之间的桥梁正发挥着越来越重要的作用,而且现代计算机、无线通讯等信息产业的不断进步,对DAC的速...

设计应用 时间:2020/8/28 阅读:515

利用DSP的模拟CMOS工艺调谐器/解调器实现单芯片DBS接收机的设计

DBS(直接广播卫星)系统包含两个主要的信号处理子系统,分别是低噪声(LNB)下变频器和DBS电视接收机。LNB下变频器位于卫星碟型天线基座,负责把卫星信号频谱从C、Ku或Ka...

设计应用 时间:2020/7/28 阅读:529

基于Tsmc0.18μmCMOS工艺的全差分的共源共栅低噪声放大器设计

随着半导体技术和无线通讯技术的发展,无线移动产品已得到广泛使用。作为无线信息接收的最前端部件,低噪声放大器具有其特殊的地位和作用,其性能尤其是噪声系数几乎决定了...

设计应用 时间:2020/1/2 阅读:1139

采用CMOS工艺的射频设计研究

近年来,有关将CMOS工艺在射频(RF)技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz,这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前,几个研...

设计应用 时间:2017/11/25 阅读:1359

标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现

摘要:随着射频无线通讯事业的发展,高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成,属于一种多数载流子器件,高频性能...

设计应用 时间:2013/9/16 阅读:2690

基于0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W-CDMA多频段收发器

前言 随着通用移动通信系统(UMTS)网络在日本和欧洲实现商用,市场对多频段宽带码分多址(W-CDMA)收发器芯片的要求更加苛刻——除了缩小芯片面积和主板占用空间、减少...

设计应用 时间:2011/8/31 阅读:2302

基于CMOS工艺的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

1 概述  TLC5510是美国TI公司生产的新型模数转换器件(ADC),它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片,能提供的最小采样率为20MSPS。由于TLC5510采用了半闪速结构及CMOS工艺,因而大大减少了器件中比较器的数量,而且在高速转...

基础电子 时间:2010/9/3 阅读:2467

基于CMOS工艺的锯齿波振荡电路的设计

本文以比较器为基本电路,采用恒流源充放电技术,设计了一种基于1.0μm CMOS工艺的锯齿波振荡电路,并对其各单元组成电路的设计进行了阐述。同时利用Cadence Hspice仿真工...

设计应用 时间:2010/8/31 阅读:3222

用CMOS工艺集成通信处理架构中的射频信号链

消费者一直不断地期盼为手机和个人数字助理(PDA)增加更多的功能和方便性。结果导致这些产品不断地快速演进,从传统的语音和数据通信到移动环境下的许多令人愉悦的功能,例...

基础电子 时间:2010/5/13 阅读:2136

Maxim推出高性能BiCMOS工艺制造的硅调谐器

Maxim推出宽带、多制式硅调谐器MAX3543,支持全球范围的混合型电视以及陆地、有线机顶盒设计。器件采用Maxim的高性能BiCMOS工艺,具有业内最佳的调谐性能,标准IF架构确保杂散信号小于-70dBc。借助MAX3543,用户能够利用单一硅

新品速递 时间:2010/4/21 阅读:3321

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