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SiC功率器件

当前的能源危机充分表明，全球迫切需要寻找替代能源来构建气候友好型的能源供应能力。近日，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的CoolSiCMOSFET和CoolSiC二极管被总部位于加利福尼亚州的布鲁姆能源公司（Bloom Energ...

时间：2022/10/28 阅读：101 关键词：电子

凭借优异的性能，第三代半导体在高温、高耐压等多领域实现应用，特别是新能源汽车领域，已成为SiC目前最大的下游应用市场。SiC在车用领域的主逆变器、车载充电器、快速充电...

分类：业界动态时间：2022/7/29 阅读：8212

日前，泰克在华南地区首台DPT1000A在深圳美浦森半导体正式交付。DPT1000A功率器件动态参数测试系统由泰克科技领先研发，一经推出就受到广大科研和企业用户的强烈关注。 DP...

分类：名企新闻时间：2021/8/20 阅读：1180

作为第三代半导体材料之一，碳化硅(SiC)具有耐高压、耐高温、能量损耗低而耐高频运行的特点，因此使用SiC功率器件可以大幅降低终端用户成本支出。现阶段，各厂商都对新一代...

分类：业界动态时间：2020/8/26 阅读：1047 关键词：新能源汽车

全球的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二

分类：新品快报时间：2012/2/10 阅读：1065

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。 SiC中存在各种...

基础电子时间：2021/5/13 阅读：631

具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可...

基础电子时间：2009/3/13 阅读：3361