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NAND Flash的最新竞争格局,长江存储成为黑马

在本周于美国加州举行的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上,全球几家主要的记忆体制造商纷纷表示看好3D NAND快闪记忆体(flash)的未来发展,并透露了一部份的开发蓝图。而其最近的竞争对手——长江存储科技公司(Yangtze Memory Tec...

分类:名企新闻 时间:2018/8/10 阅读:0 关键词:长江存储 NAND Flash 

车用市场给力,NOR Flash迎来新机遇

智能汽车、5G以及工业物联网的到来,驱动了市场对高密度NOR Flash的需求。一度因为容量小、成本高等缺点而边缘化的NOR Flash,再次受到厂商的重视。曾一度被传将要淡出NOR ...

分类:行业趋势 时间:2018/6/27 阅读:0 关键词:车用市场 NOR Flash 

【存储】2018年全球DRAM,NAND Flash价格一跌一涨

继2017年DRAM,NAND Flash双双出现价量齐扬,推升全球半导体销售额强劲成长,并首度超越4,000亿美元大关之后,2018年DRAM,NAND Flash价格则呈现两涨情,出现一涨一跌的局面,其中的关键则是供给端的部分,特别是国际大厂是否突破制程瓶...

分类:行业趋势 时间:2018/6/25 阅读:0 关键词:全球DRAM NAND  Flash价格 

Synopsys -Toshiba与新思科技开展合作加快3D Flash验证

双方合作将FineSim Pro FastSPICE NAND Flash电路仿真速度提升两倍   重点:   · 使用新思科技FineSim Pro FastSPICE工具为3D NAND Flash提供2倍的仿真加速。   · 蒙特卡罗优化为离散(variability)分析提供2倍的额外吞吐量...

分类:名企新闻 时间:2018/6/15 阅读:0 关键词:新思科技 3D Flash验证 

Cypress调涨第二季NOR Flash价格, 不排除下半年再度涨价!

由于智能手机、先进驾驶辅助系统(ADAS)、物联网等市场对NOR Flash需求维持高档,国际半导体大厂赛普拉斯(Cypress)因接单畅旺且产能严重紧缺,渠道传出赛普拉斯已调涨第二季NOR Flash价格, 不排除下半年再度涨价。 法人指出,一线大...

分类:维库行情 时间:2018/5/22 阅读:0 关键词:Cypress NOR Flash 

国产32层3D NAND Flash存储芯片实现量产

2018年5月16日人民网转载《长江日报》报道:中国第一代自主可控32层三维闪存芯片产品,已于2017年10月下线并提交客户试用,产品研发从验证试制转向规模量产。    ...

分类:业界动态 时间:2018/5/17 阅读:0 关键词:NAND Flash 存储芯片 

NAND Flash第二季仍小幅供过于求,价格续跌

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示,NAND Flash市场第一季已呈现供过于求,尽管第二季随工作天数恢复后需求有所增长,但成长力道仍偏弱,预期NAND Flash将维持小幅供过于求态势,价格方面也将持续走跌。   针对下半年NAND F...

分类:行业趋势 时间:2018/4/17 阅读:0 关键词:NAND Flash 

三星中国西安NAND Flash工厂二期项目动工

在当前NandFlash存储器仍旧供不应求,市场价格依旧居高不下的情况下,日前全球NandFlash存储器龙头企业的韩国三星,日前宣布将在本月底正式动工的中国西安NandFlash存储器...

分类:名企新闻 时间:2018/3/30 阅读:0 关键词:三星 NAND Flash 存储器 

去年第四季度NAND Flash供需趋平衡 今年首季供过于求

数据显示,2017年NAND Flash第四季度整体市场趋于供需平衡,供货商营收成长仅6.8%,展望2018年第一季,在淡季需求疲弱影响下,市场转为小幅供过于求的状态......  集邦咨...

分类:业界动态 时间:2018/3/1 阅读:76 关键词:NAND Flash 

中国存储器芯片市场风云迭起 谁将成为“搅局者”?

随着全球信息化浪潮的不断涌起,智能手机、人工智能以及物联网等领域迎来高速发展契机。值此背景之下,其上游存储器芯片产业再遇爆发期,作为生产、消费大国的中国,自然首...

分类:业界要闻 时间:2017/12/15 阅读:261 关键词:存储器 DRAM NAND Flash 

Flash技术

为什么单片机中既有Flash又有EEPROM

时,然后才能再下一次,这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进,伟大的EEPROM出现了,拯救了一大批程序员,终于可以随意的修改ROM中的内容了。   EEPROM的全称...

设计应用 时间:2018/8/8 阅读:77

关于Flash MCU仿真器的几种设计方法详解

由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级,MCU应用的领域也不断扩展,因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相比,最大的优点就在于可进行高...

设计应用 时间:2018/8/6 阅读:69

flash存储器在线编程详解

Flash存储器技术趋于成熟,应用广泛,它结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能,是目前比较理想的存储器。Flash存储器具有电可擦除、无需后备电源来保护数据、...

设计应用 时间:2018/7/27 阅读:109

S3C2440 NAND Flash的使用

基本知识  NAND flash: 速度快,擦写5ms内;位翻转概率较大,为10%左右;容量大,块容量在8K以上,擦写次数较多;接口为IO接口  NOR flash: 速度慢,擦除5S时间;位翻转概率小于NAND flash;容量较小,块容量在64K以上,擦写次数没...

设计应用 时间:2018/7/24 阅读:97

关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解

这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植,在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。  我看过很多教学视频,他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000,而S3C2440的官方手册上指明了0X300...

基础电子 时间:2018/7/23 阅读:138

ARM外设flash及SDRAM的地址连接

先提一下位宽的概念,对于具体器件而言,它的位宽是一定的,所谓位宽,指的是“读/写操作时,最小的数据单元”──别说最小单元是“位”,一般设备上没有单独的“位操作”,修改位时通过把整个字节、字或双字读出来、修改,再回写。AM29L...

设计应用 时间:2018/7/23 阅读:84

单片机FLASH与RAM、ROM的关系

FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~10万的都有,但存储时间可以保证40年,在选用时要注意。 还有一些廉价的单片...

基础电子 时间:2018/7/18 阅读:668

如何避免升级失败而使FPGA变砖呢?

FPGA配置两种模式:主动配置和被动配置方式,采用主动配置下,我们就需要一片FLASH来存储FPGA固件,那么我们在升级固件写FLASH的过程中如何避免因意外情况发生导致升级失败...

设计应用 时间:2018/6/19 阅读:185

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储器分析

内存的正式名字叫做“存储器”,是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金,存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说,存储器就类似于钢铁之于现代工业,是名副其实的电子...

基础电子 时间:2018/6/8 阅读:284

基于FPGA的Flash控制器和JTAG接口模块的设计

针对需要切换多个FPGA配置码流的场合, Xilinx公司提出了一种名为System ACE的解决方案,它利用CF(Compact Flash)存储卡来替代配置用PROM,用专门的ACE控制芯片完成CF卡...

设计应用 时间:2017/11/23 阅读:250

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