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DRAM和NAND Flash合约价持续下跌,三星或大幅减少投资

据TrendForce旗下的DRAMeXchange发布的最新报告显示,本应该是购物旺季的Q4,DRAM芯片和NAND Flash芯片的合约采购价均呈现疲软的态势,其中DRAM预估下滑5%或更多。   虽...

分类:维库行情 时间:2018/10/11 阅读:247 关键词:DRAM NAND Flash 

需求不足:DRAM和NAND Flash合约价持续下跌

大伙儿关心的内存和SSD产品价格在年内有望继续迎来一波减价。   据TrendForce旗下的DRAMeXchange发布的最新报告显示,本应该是购物旺季的Q4,DRAM芯片和NAND Flash芯片的合约采购价均呈现疲软的态势,其中DRAM预估下滑5%或更多。  ...

分类:维库行情 时间:2018/10/10 阅读:169 关键词:DRAM NAND Flash 

SK海力士韩国M15工厂落成 未来冲刺NAND Flash市场

根据韩国媒体报导,韩国存储器大厂SK海力士于10月4日在韩国忠清北道清州举行M15半导体工厂启用典礼,并开始生产第5代96层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器,这也将巩固SK海力士全球第二大存储器制造商的地位。   报导指出,SK海力士在M1...

分类:名企新闻 时间:2018/10/9 阅读:107 关键词:SK海力士 NAND Flash市场 

东芝将量产96层3D NAND Flash

日本东芝记忆体与合作伙伴西部数据为全新的半导体设施Fab 6 (6号晶圆厂)与记忆体研发中心举行开幕仪式;东芝记忆体总裁Yasuo Naruke无惧芯片价格下跌疑虑,表示将于9月量产96层3D NAND快闪芯片。   Toshiba 于2017 年2 月开始兴建6 号...

分类:名企新闻 时间:2018/9/20 阅读:140 关键词:东芝  NAND Flash 

NAND Flash控制芯片迎接1X纳米时代

闪存(NAND Flash)控制芯片及存储器解决方案厂商群联电子董事长潘健成,今(19)日受邀于CFMS 2018 (中国闪存市场峰会)发表演讲,他直言:“NAND Flash控制芯片进入非常昂贵的1x纳米等级的晶圆制造阶段、加计3D NAND验证成本高于2D,从种...

分类:名企新闻 时间:2018/9/20 阅读:97 关键词:Flash控制芯片 

大容量NOR Flash量产 兆易创新上半年研发投入同比增加97.08%

国内半导体领先供应商兆易创新2018年中报显示,报告期内营业收入11.07亿元,比去年同期增长17.88%,归属上市公司股东净利润2.35亿元,比去年同期增长30.99%。截至发稿,兆易创新股价为每股112.10元。   财报显示,营业收入的变动主要...

分类:名企新闻 时间:2018/8/29 阅读:136 关键词:兆易 NOR Flash量产 

NAND Flash的最新竞争格局,长江存储成为黑马

在本周于美国加州举行的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上,全球几家主要的记忆体制造商纷纷表示看好3D NAND快闪记忆体(flash)的未来发展,并透露了一部份的开发蓝图。而其最近的竞争对手——长江存储科技公司(Yangtze Memory Tec...

分类:名企新闻 时间:2018/8/10 阅读:171 关键词:长江存储 NAND Flash 

车用市场给力,NOR Flash迎来新机遇

智能汽车、5G以及工业物联网的到来,驱动了市场对高密度NOR Flash的需求。一度因为容量小、成本高等缺点而边缘化的NOR Flash,再次受到厂商的重视。曾一度被传将要淡出NOR ...

分类:行业趋势 时间:2018/6/27 阅读:372 关键词:车用市场 NOR Flash 

【存储】2018年全球DRAM,NAND Flash价格一跌一涨

继2017年DRAM,NAND Flash双双出现价量齐扬,推升全球半导体销售额强劲成长,并首度超越4,000亿美元大关之后,2018年DRAM,NAND Flash价格则呈现两涨情,出现一涨一跌的局面,其中的关键则是供给端的部分,特别是国际大厂是否突破制程瓶...

分类:行业趋势 时间:2018/6/25 阅读:201 关键词:全球DRAM NAND  Flash价格 

Synopsys -Toshiba与新思科技开展合作加快3D Flash验证

双方合作将FineSim Pro FastSPICE NAND Flash电路仿真速度提升两倍   重点:   · 使用新思科技FineSim Pro FastSPICE工具为3D NAND Flash提供2倍的仿真加速。   · 蒙特卡罗优化为离散(variability)分析提供2倍的额外吞吐量...

分类:名企新闻 时间:2018/6/15 阅读:332 关键词:新思科技 3D Flash验证 

Flash技术

Holtek推出Flash MCU BH66F5242可广泛适用于测量类产品

Holtek新推出内建低噪声、高效能24-bit Delta Sigma A/D的Flash MCU BH66F5242,适合广泛应用于变送器、电子秤、血压计、血糖仪 及其它测量类产品。?BH66F5242内置LED驱动功能、LDO、OPA与24-bit Delta Sigma A/D,在应用上,可减少外部...

新品速递 时间:2018/10/11 阅读:89

IAR首次给单片机STM32下载解锁flash

新板子焊接好后,在编译下载的时候第一次遇到了这样的问题:  Warning: Stack pointer is setup to incorrect alignment. Stack addr = 0xAAAAAAAA  开始以为是调试器...

设计应用 时间:2018/10/9 阅读:91

FPGA学习系列:内存128M的flash芯片设计

FLASH闪存 闪存的英文名称是"Flash Memory",一般简称为"Flash",它属于内存器件的一种,是一种不挥发性( Non-Volatile )内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:...

设计应用 时间:2018/9/14 阅读:50

对lpc2000系列微控制器片内flash编程的方法

每一个VIC通道都支持软件中断与硬件中断,即每个中断均可由软件或硬件中断产生,软件中断与对应通道上的硬件中断是逻辑“或”的关系。软件中断可通过置位VICSoftInt寄存器相应位来产生,也可通过置位VICSoftIntClear寄存器相应位来清除。...

设计应用 时间:2018/9/11 阅读:87

基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法

NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述...

设计应用 时间:2018/8/28 阅读:69

为什么单片机中既有Flash又有EEPROM

时,然后才能再下一次,这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进,伟大的EEPROM出现了,拯救了一大批程序员,终于可以随意的修改ROM中的内容了。   EEPROM的全称...

设计应用 时间:2018/8/8 阅读:123

关于Flash MCU仿真器的几种设计方法详解

由于市场对MCU功能的要求总是不断变化和升级,MCU应用的领域也不断扩展,因此往往需要对最初的设计进行修改。Flash MCU与以往OTP/MASK MCU相比,最大的优点就在于可进行高...

设计应用 时间:2018/8/6 阅读:99

flash存储器在线编程详解

Flash存储器技术趋于成熟,应用广泛,它结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能,是目前比较理想的存储器。Flash存储器具有电可擦除、无需后备电源来保护数据、...

设计应用 时间:2018/7/27 阅读:148

S3C2440 NAND Flash的使用

基本知识  NAND flash: 速度快,擦写5ms内;位翻转概率较大,为10%左右;容量大,块容量在8K以上,擦写次数较多;接口为IO接口  NOR flash: 速度慢,擦除5S时间;位翻转概率小于NAND flash;容量较小,块容量在64K以上,擦写次数没...

设计应用 时间:2018/7/24 阅读:118

关于S3C2440开发板Nand flash程序烧写和运行的一些理解

这两天刚开始学习ARM9的裸机编程和Linux系统移植,在烧写Nand flash内存的时候对一些指定的地址产生了疑惑。  我看过很多教学视频,他们在烧写程序到Nand flash的时候一般会指定一个地址0X3000_0000,而S3C2440的官方手册上指明了0X300...

基础电子 时间:2018/7/23 阅读:175

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