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Synopsys -Toshiba与新思科技开展合作加快3D Flash验证

双方合作将FineSim Pro FastSPICE NAND Flash电路仿真速度提升两倍   重点:   · 使用新思科技FineSim Pro FastSPICE工具为3D NAND Flash提供2倍的仿真加速。   · 蒙特卡罗优化为离散(variability)分析提供2倍的额外吞吐量...

分类:名企新闻 时间:2018/6/15 阅读:0 关键词:新思科技 3D Flash验证 

Cypress调涨第二季NOR Flash价格, 不排除下半年再度涨价!

由于智能手机、先进驾驶辅助系统(ADAS)、物联网等市场对NOR Flash需求维持高档,国际半导体大厂赛普拉斯(Cypress)因接单畅旺且产能严重紧缺,渠道传出赛普拉斯已调涨第二季NOR Flash价格, 不排除下半年再度涨价。 法人指出,一线大...

分类:捷配行情 时间:2018/5/22 阅读:0 关键词:Cypress NOR Flash 

国产32层3D NAND Flash存储芯片实现量产

2018年5月16日人民网转载《长江日报》报道:中国第一代自主可控32层三维闪存芯片产品,已于2017年10月下线并提交客户试用,产品研发从验证试制转向规模量产。    ...

分类:业界动态 时间:2018/5/17 阅读:0 关键词:NAND Flash 存储芯片 

NAND Flash第二季仍小幅供过于求,价格续跌

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示,NAND Flash市场第一季已呈现供过于求,尽管第二季随工作天数恢复后需求有所增长,但成长力道仍偏弱,预期NAND Flash将维持小幅供过于求态势,价格方面也将持续走跌。   针对下半年NAND F...

分类:行业趋势 时间:2018/4/17 阅读:0 关键词:NAND Flash 

三星中国西安NAND Flash工厂二期项目动工

在当前NandFlash存储器仍旧供不应求,市场价格依旧居高不下的情况下,日前全球NandFlash存储器龙头企业的韩国三星,日前宣布将在本月底正式动工的中国西安NandFlash存储器...

分类:名企新闻 时间:2018/3/30 阅读:0 关键词:三星 NAND Flash 存储器 

去年第四季度NAND Flash供需趋平衡 今年首季供过于求

数据显示,2017年NAND Flash第四季度整体市场趋于供需平衡,供货商营收成长仅6.8%,展望2018年第一季,在淡季需求疲弱影响下,市场转为小幅供过于求的状态......  集邦咨...

分类:业界动态 时间:2018/3/1 阅读:76 关键词:NAND Flash 

中国存储器芯片市场风云迭起 谁将成为“搅局者”?

随着全球信息化浪潮的不断涌起,智能手机、人工智能以及物联网等领域迎来高速发展契机。值此背景之下,其上游存储器芯片产业再遇爆发期,作为生产、消费大国的中国,自然首...

分类:业界要闻 时间:2017/12/15 阅读:261 关键词:存储器 DRAM NAND Flash 

SSD市场将进入淡季 面临供过于求

内存、SSD的高价位在明年有望迅速榨干水分。据调研机构TrendForce最新报告,今年过去的第三季度,由于手机和服务器供求缺口增大,NANDFlash闪存的整体营收增加了14%。不过...

分类:行业趋势 时间:2017/11/22 阅读:153 关键词:NAND Flash DRAM 

六大NAND Flash厂商产线现状分析

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出,受传统旺季、智能手机、服务器及数据中心对SSD需求拉升等因素影响,今年第三季度整体NAND Flash供需缺口较第二季扩大...

分类:业界动态 时间:2017/11/21 阅读:224 关键词:NAND Flash 

高容量NOR Flash缺货到明年 客户每天排队求配货

NORFlash缺货价格涨翻天,旺宏董事长吴敏求表示,每天都有人来排队要货,预计这一波NORFlash缺货潮将延续至2018年,其中,低容量NORFlash可能会受大陆新产能开始影响受到波及,但高容量NORFlash受限供应商有限,仍是持续供给吃紧。  大...

分类:行业趋势 时间:2017/10/30 阅读:216 关键词:NOR Flash 

Flash技术

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存储器分析

内存的正式名字叫做“存储器”,是半导体行业三大支柱之一。2016年全球半导体市场规模为3400亿美金,存储器就占了768亿美元。对于你身边的手机、平板、PC、笔记本等所有电子产品来说,存储器就类似于钢铁之于现代工业,是名副其实的电子...

基础电子 时间:2018/6/8 阅读:175

基于FPGA的Flash控制器和JTAG接口模块的设计

针对需要切换多个FPGA配置码流的场合, Xilinx公司提出了一种名为System ACE的解决方案,它利用CF(Compact Flash)存储卡来替代配置用PROM,用专门的ACE控制芯片完成CF卡...

设计应用 时间:2017/11/23 阅读:232

NOR Flash与8位单片机接口设计

引 言  存储器又称闪速存储器,是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点,既可以在线擦除、改写,又能够在掉电后保持数据不丢...

设计应用 时间:2017/9/14 阅读:422

什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。   RAM有两大类,一种称...

基础电子 时间:2017/7/21 阅读:465

Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的“出生”它的“组成”均研究的透彻底底的。闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用...

基础电子 时间:2016/11/4 阅读:1173

把大象关冰箱的步骤 --- NAND FLASH控制器磨损管理算法芯片化硬实现

把大象关冰箱的步骤---NANDFLASH控制器磨损管理算法芯片化硬实现目前,存储领域包括eMMC,SATASSD,PCIeSSD等控制器是一个非常热门的领域。通常,由于NANDFLASH易于损坏的特...

设计应用 时间:2016/1/26 阅读:1063

基于ARM7软中断程序的设计

笔者在设计一项目时采用LPC2458。此CPU为ARM7内核,带512K字节的片内FLASH,98k字节的片内RAM,支持片外LOCALBUS总线,可从片外NORFLASH启动CPU.由于代码量较大,程序放在...

技术方案 时间:2015/5/27 阅读:574

以32位MCU-HY16F198实现AC电流量测应用

一、内容简介本文将介绍以HY16F198搭配HallSensor(WCS1800)进行交流电流数值量测,最大可量测电流范围从0.1A~17.68A。本文实验数据从0A~17.6A,比较使用电表Agilent34401A...

设计应用 时间:2015/3/31 阅读:2561

从PCB设计到软件处理 谈单片机系统的电磁兼容性设计

本文中所提到的对电磁干扰的设计我们主要从硬件和软件方面进行设计处理,下面就是从单片机的PCB设计到软件处理方面来介绍对电磁兼容性的处理。一、影响EMC的因数1、电压:电源电压越高,意味着电压振幅越大,发射就更多,而低电源电压影...

设计应用 时间:2015/3/28 阅读:1105

移动存储器的发展迎春天

最新移动存储器规格LPDDR4出炉2014年8月25日讯-JEDEC固态技术协会,全球微电子产业标准领导制定机构今天发布JESD209-4低功耗双倍数据速率4(LPDDR4)标准。该标准旨在大幅...

新品速递 时间:2014/8/29 阅读:1224

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