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力士资讯

SK海力士出货96层 1Tb QLC 4D NAND 样品

3D NAND 堆栈发展至 96 层,这是接下来一段时间内的市场主流。  2018 年底,SK Hynix(SK海力士)发表 96 层堆栈快闪存储器,是为 TLC 类型、单一裸晶容量 512Gb(64GB)产品,还特地取了个有意思的 4D NAND 名词(本质和 3D NAND 相仿...

分类:名企新闻 时间:2019/5/13 阅读:133 关键词:SK海力士 

海力士开始提供96层1Tb QLC 4D NAND样品,芯片面积缩小超过10%

海力士今天宣布已经开始提供容量为1Tb的QLC产品样品。海力士表示目前已经将自家的QLC技术应用到了旗下首款基于4D NAND的96层电荷陷阱闪存(CTE),希望可以更快的将其NAND产品组合扩展至96层的1Tb QLC产品,从而快速打开QLC市场,并加强...

分类:名企新闻 时间:2019/5/10 阅读:242 关键词:海力士 芯片 

英特尔H10存储器威胁服务器市场,三星与 SK 海力士也将推新品

而对于来势汹汹的英特尔,三星与 SK 海力士随即表示,将推出相类似的产品以抗衡英特尔。因此,服务器存储器大展进入一触即发的状态。   根据韩国媒体《ETnews》的报导,...

分类:业界动态 时间:2019/5/5 阅读:124 关键词:存储器 服务器 

英特尔服务器存储市场再出绝招!三星、SK海力士将如何应对

据ETnews报道,英特尔强势入局服务器存储器市场,日前已经推出了一种结合DRAM与NAND Flash优势于一体的新一代Intel Optane存储器H10。   有人预测,这种新的存储器可以...

分类:业界动态 时间:2019/4/30 阅读:415 关键词:服务器 英特尔 

SK海力士跨向1ynm内存时代

SK海力士近日宣布,将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时,今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片,并为下代内存做好准备。SK海力士...

分类:名企新闻 时间:2019/4/30 阅读:511 关键词:SK海力士 

三巨头最后一家:SK海力士跨向1ynm内存时代

SK海力士近日宣布,将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时,今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片,并为下代内存做好准备。  SK海...

分类:名企新闻 时间:2019/4/28 阅读:521 关键词:海力士 内存 

海力士将在今年Q2生产第二代 10nm 工艺内存

根据外媒报道,SK海力士透露,公司将增加其第一代10纳米级制造工艺(即1X nm)的DRAM产量,并将在下半年开始销售其制造的第二代10纳米级制造技术(又名1Y nm)的内存。加速...

分类:名企新闻 时间:2019/4/26 阅读:305 关键词:海力士  10nm  

内存价格持续下跌!SK海力士Q1营业利润创新低

4月25日,近期由于智能手机方面的市场表现出现低谷,导致内存芯片的价格持续下跌。这使得著名的内存生产厂商SK海力士,遭遇了2012年来最大的营收滑坡,其第一季度营业利润...

分类:名企新闻 时间:2019/4/26 阅读:262 关键词:内存 SK海力士 

抢逻辑芯片代工!SK 海力士欲购并MagnaChip部分8寸产能

根据《路透社》引用知情人士的消息报导指出,韩国存储器大厂 SK 海力士正在考虑收购部分逻辑芯片制造商美格纳(MagnaChip)的产能,用于扩大其 8 寸晶圆的生产线。  报导指出,与存储器龙头三星相同,SK 海力士由于近来全球存储器市场...

分类:业界动态 时间:2019/4/24 阅读:110 关键词:芯片 海力士 

DDR5-6400将会来临,海力士DDR6或5年内完成

从去年开始,DDR5的研发消息就已经不断出现在我们的视野中,随着SK海力士宣布已经研发出了满足JEDEC标准规范的DDR5内存颗粒后,DDR5内存的发布也加快了进程。   近日,SK...

分类:业界动态 时间:2019/4/24 阅读:2122 关键词:处理器 台积电 

力士技术

深入剖析SK海力士最新72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品。   在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scal...

新品速递 时间:2018/6/12 阅读:322

坚果手机拆解曝光:骁龙615处理器+海力士内存

时隔一年多,在大批锤粉和锤黑的密切关注下,锤子终于发布了坚果手机,虽然大家期待的T2没来,但坚果的高性价比和高逼格仍然吸引了很多评测媒体,大家都陆续奉上了自己的感...

基础电子 时间:2015/9/1 阅读:1726

拆解SDRAM存储器 三星与SK海力士与众不同

根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,...

基础电子 时间:2013/6/20 阅读:3621

惠普海力士合作打造忆阻器存储

惠普公司今天宣布,已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议,双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术,即使用电阻实现存储的ReRAM(ResistiveRandomAccessMemory电阻式存储器)。忆阻器技术的研究实际上已

其它 时间:2011/7/2 阅读:2415

安捷伦与海力士半联合推出长线ZIF探针

安捷伦(Agilent)科技公司日前宣布:安捷伦与海力士半导体公司(HynixSemiconductorInc.)携手推出一款高带宽、高性能的长线ZIF(零插入力)探针,该探针经过优化,适用于DDR(双数据速率)和GDDR(图形双数据速率)SDRA

新品速递 时间:2009/3/13 阅读:1845

恒忆与海力士合作推广创新的NAND闪存技术

恒忆(Numonyx)宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议,在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战,两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品,进行技术创新。根据新协议,恒忆和海力士将扩...

新品速递 时间:2008/8/19 阅读:1190

海力士推新款手持装置用DRAM

根据富比世(Forbes)报导,韩厂海力士(Hynix)推出运作时脉达200Mhz的利基型手持装置用DRAM,号称速度较现有一般手机用的DRAM快上1.5倍,海力士并表示,将推出针对手机平台,结合DRAM与NAND型Flash的多晶片封装(MCP)

新品速递 时间:2007/12/4 阅读:1172

海力士开发出高速小型移动终端用1GbDRAM

韩国海力士半导体(HynixSemiconductor)开发成功了用于小型高速移动终端的1Gbit移动DRAM。预定2008年第1季度开始量产,主要应用于手机等产品。近来,对能够满足便携电子产品小型化、大容量化、高速化的移动DRAM产品的需求不断扩

新品速递 时间:2007/11/19 阅读:1074

海力士半导体DRAM产品获得 ISi存储技术授权

海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元,来替代多个晶体管和电容器的组合,这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来,基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获

新品速递 时间:2007/11/15 阅读:1201

海力士一季度表现骄人 DRAM市场出货量排名首次跃居第一

海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩,三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元,比2006年第四季度增长4.1%。相比之下,第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%,其它主要厂商的销

新品速递 时间:2007/8/7 阅读:1279

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