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SK海力士

SK海力士资讯

SK海力士韩国M15工厂落成 未来冲刺NAND Flash市场

根据韩国媒体报导,韩国存储器大厂SK海力士于10月4日在韩国忠清北道清州举行M15半导体工厂启用典礼,并开始生产第5代96层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器,这也将巩固SK海力士全球第二大存储器制造商的地位。   报导指出,SK海力士在M1...

分类:名企新闻 时间:2018/10/9 阅读:108 关键词:SK海力士 NAND Flash市场 

SK海力士推迟扩产:内存大降价梦碎

近期,DRAM内存合约价出现了明显的走低迹象,预计到今年第四季度随着供应充足、供过于求,DRAM合约价会开始大幅度下降。   NAND闪存方面,尽管第三季度是传统需求旺季,...

分类:名企新闻 时间:2018/9/12 阅读:140 关键词:SK海力士 内存 

SK海力士计划明年量产96层3D NAND闪存

SK海力士在清州建设M15工厂的建成仪式将于9月17日在清州举行。SK海力士计划通过从明年初开始增产96层3D NAND闪存的策略,来巩固其市场主导地位。   SK海...

分类:名企新闻 时间:2018/9/7 阅读:260 关键词:SK海力士 3D NAND闪存 

内存三巨头面临中国重罚:最高80亿美元

三星电子、SK海力士、美光三大DRAM内存巨头在中国涉嫌操纵市场价格,如果坐实将会被处以最高80亿美元的重罚。   2016-2017年,全球DRAM内存价格持续高涨,无论PC市场还...

分类:业界要闻 时间:2018/6/22 阅读:264 关键词:三星电子 SK海力士 美光 

SK海力士:不担心收购东芝芯片失败,阻止中国收购就是成功

据韩国媒体报道,尽管SK海力士收购收购东芝芯片部门的交易正面临挑战,但这家韩国芯片制造商并不担心。这是因为,SK海力士已经取得了一项重大胜利:它成功阻止了东芝芯片部门被一家中国公司接管。   最近有来自半导体行...

分类:名企新闻 时间:2018/4/25 阅读:218 关键词:SK海力士 东芝芯片 

贸易战加剧半导体产业的不稳定性 但风险与机遇并存

2017年全球半导体增速超过20%,创下自2011年以来最高增速,市场规模超过4000亿美元。而2018年1月半导体产业协会(SIA)公布的数据中,全球半导体仍然延续2017年态势,增长...

分类:业界动态 时间:2018/4/4 阅读:438 关键词:三星 SK海力士 集成电路 半导体 

三星电子、SK海力士之后,美光攻克GDDR6显存

三星电子、SK海力士之后,美光今天也宣布了自己的GDDR6显存方案,但和其他两家有明显不同。首先,美光并不是自己单干,而是集结了几位合作伙伴,自己出GDDR6存储颗粒,Ramb...

分类:业界动态 时间:2018/1/25 阅读:61 关键词:三星电子 SK海力士 美光 

芯片需求强劲:SK海力士年度利润创纪录

北京时间1月25日早间消息,本周四,韩国SK海力士(SK Hynix)表示,由于内存芯片的需求旺盛,尽管韩元更加坚挺,2017年第四季度的营业利润依然增长近两倍,达到历史最高水...

分类:业界动态 时间:2018/1/25 阅读:222 关键词:SK海力士 芯片 内存 

三星是否垄断内存价格有待调查 内存供需偏紧上半年涨势难止

如今内存供需仍然处于偏紧状态,下游厂商受影响最大,虽说有关发改委约谈三星,但是是否构成垄断仍待调查,三星方面始终三缄其口,预计内存价格上半年涨势难止。  ...

分类:业界要闻 时间:2018/1/12 阅读:178 关键词:三星 sk海力士 美光 内存 

消息称SK海力士将在中国组建合资建厂 专注芯片代工

北京时间12月20日晚间消息,韩国媒体今日援引知情人士的消息称,韩国第二大芯片厂商SK(SK hynix)计划在中国设立一家合资工厂,以进一步扩展其代工业务。 该知情人士称,...

分类:业界动态 时间:2017/12/21 阅读:62 关键词:SK海力士 芯片代工 

SK海力士技术

深入剖析SK海力士最新72层3D NAND

拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND,指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品。   在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中,所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scal...

新品速递 时间:2018/6/12 阅读:243

拆解SDRAM存储器 三星与SK海力士与众不同

根据拆解分析机构Techinsights最近对目前市面上先进DRAM存储器单元(cell)技术所做的详细比较分析发现,虽然已有部分预测指出DRAM存储器单元将在30纳米制程遭遇微缩极限,...

基础电子 时间:2013/6/20 阅读:3418