您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

NAND闪存

NAND闪存资讯

历时两年!首批“中国造”32层3D NAND闪存芯片将于Q4量产

近日,紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。   刁石京表示,中国芯片技术落后于世界,但自主研发的脚步始终没有停止,两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国...

分类:业界要闻 时间:2018/8/7 阅读:0 关键词:中国造  NAND闪存芯片 

NAND闪存景气回升 CAPEX将增40%至310亿美元

近日,据IC Insights的数据预测,2018年NAND Flash行业的资本支出(CAPEX)将比预期产量增加40%以上,从2017年的220亿美元增至2018年的310亿美元,属于近8年来的最大增幅。...

分类:业界动态 时间:2018/7/16 阅读:0 关键词:3D NAND 闪存 三星 美光 

联芸科技首次亮相COMPUTEX 2018台北电脑展

最具市场潜质奖向最佳市场表现奖靠近  专注SSD固态硬盘主控芯片及解决方案研究及产业化国产SSD主控芯片领导厂商联芸科技(杭州)有限公司(简称联芸科技),首次亮相台北...

分类:名企新闻 时间:2018/6/11 阅读:0 关键词:MAS090X系列固态硬盘主控芯片  3D NAND闪存颗粒 

我国首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产

位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产,从而填补我国主流存储器领域空白。...

分类:业界动态 时间:2018/4/13 阅读:0 关键词:NAND 闪存芯片 

三星巨额投资3D NAND闪存,占据整个半导体行业的33%

近年来内存大战一直未曾停息,今年的内存上涨的价格也是屡创历史新高。为此,许多的内存厂商都准备扩产 NAND闪存规模。三星就是最激进的一个,在在3D NAND闪存市场的巨额投...

分类:业界动态 时间:2017/11/15 阅读:208 关键词:三星 nand闪存 英特尔 台积电 

韩国3D NAND闪存Q3有望占全球一半市场

市场调查机构DRAMeXchange周五发布的调查结果显示,到今年三季度,、SK等韩企的3D 在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容...

分类:业界动态 时间:2017/5/6 阅读:117 关键词:NAND 

长江存储3D闪存各项指标已达预期 2019年全速量产

NAND被三星、东芝、SKHynix、美光、Intel等少数公司垄断,中国公司在此领域毫无话语权,甚至连收购、合作外资公司都没可能,想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家基地,该公司CEO杨士宁...

分类:名企新闻 时间:2017/3/17 阅读:156 关键词:长江 

打破市场垄断 国产32层堆栈3D闪存将于2019年量产

NAND被三星、东芝、SKHynix、美光、Intel等少数公司垄断,中国公司在此领域毫无话语权,甚至连收购、合作外资公司都没可能,想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的...

分类:业界动态 时间:2017/3/16 阅读:362

32层堆栈,国产3D NAND闪存性能、功能、可靠性已达标

闪存芯片是国家大基金确立的半导体芯片产业最优先的方向之一,也是目前最紧迫的产业,因为全球的NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、SKHynix等公司手中,基本上没有中国...

分类:业界动态 时间:2017/2/20 阅读:113 关键词:NAND 

缺货!涨价!存储厂商纷纷抢滩3D NAND闪存和SSD

今年的存储器市场异常火爆,特别是进入下半年以后,无论是DRAM,还是NANDFlash闪存,供货吃紧程度与日俱增,价格也是水涨船高。来自TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange的调查显示,受惠于智能手机需求强劲,及供给端

分类:业界要闻 时间:2016/12/16 阅读:207 关键词:NAND SSD 

NAND闪存技术

三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存,分别有24层、32层,并已用于850EVO、850Pro等多款固态硬盘产品,2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bitMLC256Gb3DV-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48

设计应用 时间:2016/7/13 阅读:1792

Spansion调整NAND产品规划,推工业级e.MMC

2012年,Spansion公司宣布其首个单层单元(SLC)系列NAND闪存产品开始出样,并同时公布了未来五年的技术规划图:包括将采用4xnm浮栅技术的1Gb到8GbSLCNAND解决方案,在2012...

新品速递 时间:2014/12/9 阅读:850

闪迪推出一款理想的存储解决方案--iNAND Standard

导读:闪迪公司面向中国及其他高速增长市场的入门级平板电脑和智能手机发布一款理想的存储解决方案--iNANDStandard嵌入式闪存驱动器(EFD)。闪迪公司移动互联解决方案部高...

新品速递 时间:2014/6/3 阅读:868

Spansion推出六款全新汽车级闪存设备

导读:全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion公司日前宣布推出六款新的汽车级闪存设备,从而进一步拓展了公司的汽车闪存产品线。Spansion推出的新产品包括三款新的串行闪存NOR和三款新的NAND闪存,其容量性能专门针对汽...

新品速递 时间:2014/4/28 阅读:1125

东芝推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块

导读:日前,东芝公司(简称“Toshiba”)宣布推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块,该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片,符合最新的e·MMC标准...

新品速递 时间:2013/11/6 阅读:1063

拆解HTC One:400万摄像头背后的芯片力量

在英语中,“one”还有救世主的含义。由此可见HTC对这款手机所抱有的期待。那么HTCOne究竟能否胜任这一目标?以下为外媒的拆解介绍。HTCOne褒贬不一400万摄像头终结拼像素...

新品速递 时间:2013/4/8 阅读:2630

最佳SSD电源选择方案

提到硬盘供电,固态硬盘(SSD)设计师们面临许多相互矛盾的要求。首先是电源的尺寸,其不能增加SSD的体积系数,因为SSD通常必须在体积上与其所替换的机械硬盘(HDD)相兼容...

技术方案 时间:2012/11/13 阅读:4005

NAND FLASH 调研和选型

闪存简介闪存是可通过电擦写和重编程的非挥发性计算机存储器。闪存技术主要应用在计算机和其他数字设备间传输数据的存储卡和USB盘上。它是一种可用大块擦写和重编程技术访...

基础电子 时间:2011/8/16 阅读:8251

基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用

目前,针对NORFlash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及,基于NAND闪存的文件系统YAFFS(YetAnotherFlashFileSystem...

设计应用 时间:2010/9/1 阅读:2181

Toshiba推出业界最大嵌入式NAND闪存存储器模块

Toshiba近日推出128吉比特(GB)嵌入式NAND闪存存储器模块,是业界最高容量。该模块与最新e-MMC?;3标准完全兼容,设计应用于包括智能手机、平板PC和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份,批量生产将在2010年第

新品速递 时间:2010/7/7 阅读:2904

NAND闪存产品