您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

NAND闪存

NAND闪存资讯

传三星欲将其NAND闪存价格提高10%,美光有意效仿

报道称,其他闪存制造商,如美光科技等公司也可能效仿。  此前,在东芝发生停电事故后,三星电子的供需状况有所改善。NAND闪存库存已经减少到四周,大约是DRAM库存的一半...

分类:行业趋势 时间:2019/7/12 阅读:1715 关键词:三星闪存价格

受日本制裁,三星电子将提高NAND闪存价格,美光考虑跟进

据BusinessKorea报道,因受日本制裁,三星电子计划将NAND闪存价格提高10%,美光科技(Micron Technology)等其它公司可能也会效仿。  报道称,东芝公司发生停电事故后,三...

分类:行业趋势 时间:2019/7/11 阅读:1152 关键词:三星电子NAND闪存价格美光

DRAM内存年底重新涨价!NAND闪存已跌破成本

不论是全球半导体市场还是国内半导体市场,今年Q1季度都出现了下滑的趋势,根据SIA数据显示,2019年第一季度全球半导体市场同比下降了5.5%。根据中国半导体行业协会统计,2...

分类:维库行情 时间:2019/5/24 阅读:1976 关键词:NAND闪存

1万亿日元 东芝、西数联手扩大96层NAND闪存生产

由于NAND闪存的价格已经连跌了6个季度,今年Q1季度几家NAND厂商的财报惨不忍睹,三星美光东芝等公司也决定削减NAND产能至少5%,目的是缓解市场上供过于求的局面。  就在NAND厂商削减产能的同时,他们也在不断扩大产能,因为过去存储芯...

分类:业界动态 时间:2019/5/21 阅读:275 关键词:NAND闪存

英特尔:NAND闪存不再新建厂 傲腾转向中国生产

NAND闪存持续供过于求,价格不断走低,消费者们很高兴,厂商们很不爽,英特尔就在近日的投资者大会上披露,可预期的未来内也不会再建设新的闪存工厂。  最近几年,三星、美光、SK海力士、东芝都在兴建各自的新工厂,或者扩充现有工厂的...

分类:名企新闻 时间:2019/5/14 阅读:236 关键词:NAND闪存英特尔

7年容量增长10倍,NAND闪存需求被长期看好

NAND闪存在2017年价格冲顶之后,近几个季度以来销售价格均呈现跌跌不休的态势,且2018年便已跌破本轮价格上涨时的初始价位。但是,从长期来看,数字经济发展的大趋势不会改变,人们对存储器的需求持续增加,NAND闪存产业前景仍然长期看好...

分类:行业趋势 时间:2019/5/8 阅读:962 关键词:NAND闪存

7年容量增长10倍,NAND闪存需求被长期看好

NAND闪存在2017年价格冲顶之后,近几个季度以来销售价格均呈现跌跌不休的态势,且2018年便已跌破本轮价格上涨时的初始价位。但是,从长期来看,数字经济发展的大趋势不会改...

分类:业界动态 时间:2019/5/8 阅读:237 关键词:NAND闪存

长江存储今年将量产64层3D NAND闪存

紫光集团旗下的长江存储YMTC是国内三大存储芯片阵营中主修NAND闪存的公司,也是目前进度最好的,去年小规模生产了32层堆栈的3DNAND闪存,前不久紫光在深圳第七届中国电子信...

分类:名企新闻 时间:2019/4/17 阅读:331

东芝和西数正研发128层3D NAND闪存:最早2020年上市

根据外媒的报道,东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中,该芯片将命名为BiCS-5。  据介绍,芯片将实现TLC,而不是更新的QLC。这...

分类:业界动态 时间:2019/3/8 阅读:224

西数东芝宣布128层3D NAND闪存:单颗512Gb 或命名为BiCS-5

西部数据(WD)和东芝(Toshiba)已经开发出了 128 层 @ 512Gbit 容量的 3D NAND(又称 TLC)缓存。如果沿续此前的命名习惯,我们可以把它叫做 BiCS-5 。因为 BiCS-4 为 96...

分类:新品快报 时间:2019/3/8 阅读:339

NAND闪存技术

基于ClearNAND闪存的系统设计改进方案

自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的...

技术方案 时间:2017/6/27 阅读:910

三星48层3D V-NAND闪存技术揭秘

三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存,分别有24层、32层,并已用于850EVO、850Pro等多款固态硬盘产品,2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bitMLC256Gb3DV-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48

设计应用 时间:2016/7/13 阅读:2653

东芝推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块

导读:日前,东芝公司(简称“Toshiba”)宣布推出新型嵌入式19纳米工艺制造的NAND闪存模块,该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片,符合最新的e·MMC标准...

新品速递 时间:2013/11/6 阅读:1219

用ClearNAND闪存改善系统设计

自问世以来,NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题,但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的...

设计应用 时间:2011/1/20 阅读:1711

基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用

目前,针对NORFlash设计的文件系统JFFS/JFFS2在嵌入式系统中已得到广泛的应用;随着NAND作为大容量存储介质的普及,基于NAND闪存的文件系统YAFFS(YetAnotherFlashFileSystem...

设计应用 时间:2010/9/1 阅读:2252

Toshiba推出业界最大嵌入式NAND闪存存储器模块

Toshiba近日推出128吉比特(GB)嵌入式NAND闪存存储器模块,是业界最高容量。该模块与最新e-MMC?;3标准完全兼容,设计应用于包括智能手机、平板PC和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份,批量生产将在2010年第

新品速递 时间:2010/7/7 阅读:3008

采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略

NAND闪存是一种高密度非易失性存储器,基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进,MLCNAND(2bit/cellNAND)的架构正变得日益复杂化。今天,单个8Gb密度SLCNAND闪存芯...

基础电子 时间:2010/6/8 阅读:2895

基于NAND闪存的自适应闪存映射层设计

0引言闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型,其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的闪存芯片。一个NAND类型的闪存芯片的存储空间是由块(B...

设计应用 时间:2010/5/19 阅读:2750

三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

近日,三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界首个20纳米级(nm)NAND芯片,用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32GbMLCNAND产品采用尖端技术,扩展三星电子公...

新品速递 时间:2010/5/18 阅读:2896

东芝推出业界最高容量(64GB)的嵌入式NAND闪存模块

东芝近日宣布推出64GB嵌入式NAND闪存模块,该容量是目前业内的最高容量。64GB模块是一系列6款新型嵌入式NAND闪存模块的旗舰产品。该系列产品完全符合最新的e·MMCTM标准,...

新品速递 时间:2009/12/17 阅读:2905

NAND闪存产品