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闪存芯片

闪存芯片资讯

汽车闪存芯片面临挑战,能否在高端NOR Flash加速渗透?

增长最为显著的是微控制单元、传感器、存储器等各类半导体设备需求。随着越来越多的传感器和MCU集成到系统中,汽车电子各功能单元的数据、程序存储都需要更高性能的闪存,从而对非易失性存储器件的需求形成海量增长。汽车产业成为存储芯...

分类:业界动态 时间:2019/5/14 阅读:776 关键词:闪存芯片

东芝发布UFS 3.0闪存芯片 2.9GB/s读写速度比肩SSD

如今UFS 2.1闪存已经成为旗舰机的标配,不过考虑到人们对速度的极致追求,这一标准显然不够。近日东芝正式宣布,全新的UFS 3.0标准闪存已经试产成功,未来东芝将推出128GB...

分类:新品快报 时间:2019/1/24 阅读:542 关键词:东芝闪存芯片

国内研法的32层3DNAND闪存芯片已经大规模生产?对于国产你期待吗?

紫光集团董事长赵伟国近日在出席首届中国国际智能产业博览会时透露,紫光旗下长江存储的1000人团队耗资10亿美元,历时2年研发成功了国内第一颗32层3DNAND闪存芯片,将在201...

分类:名企新闻 时间:2018/8/27 阅读:167 关键词:NAND闪存芯片紫光

紫光集团:32层3D NAND闪存芯片将于四季度实现量产

记者获悉,8月23日,首届中国国际智能产业博览会重庆开幕。会上,紫光集团遴选出近百枚芯片,组成一面"紫光芯片大观"墙,涵盖从手机各类SoC到物联网芯片、FPGA等多个领域。其中32层3D NAND闪存芯片备受瞩目,这是紫光集团旗下长江存储耗...

分类:名企新闻 时间:2018/8/24 阅读:183 关键词:NAND闪存芯片

历时两年!首批“中国造”32层3D NAND闪存芯片将于Q4量产

近日,紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。   刁石京表示,中国芯片技术落后于世界,但自主研发的脚步始终没有停止,两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国...

分类:业界要闻 时间:2018/8/7 阅读:394 关键词: NAND闪存芯片中国造

武汉“光谷”加速研发“中国芯” 32层三维闪存芯片将量产

在当前中美贸易战的大背景下,自主创新技术显得尤为珍贵。记者5日从有“中国光谷”之称的湖北武汉东湖高新区获悉,近日区内有国产芯片企业负责人在谈到如何切实落实高质量发展时,表示该公司从事产品和方案研发员工超过35%;亦有企业负责...

分类:业界动态 时间:2018/8/7 阅读:198 关键词:闪存芯片中国芯

内存闪存芯片明年全面实现国产,芯片厂将作为“先锋”

近几年间,全球内存闪存芯片不断走高,购买电脑,手机的成本不断增加,让消费者苦不堪言。最近据中国台湾电子时报网站引述业内人士称2019年中国将有三家存储芯片场竣工并投...

分类:行业趋势 时间:2018/7/23 阅读:254 关键词:国产内存闪存芯片

三星宣布大规生产第五代V-NAND闪存芯片

据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。   三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR 4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路,在存储之间的传输速度可达1.4...

分类:名企新闻 时间:2018/7/12 阅读:184 关键词:三星闪存芯片

我国首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产

位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产,从而填补我国主流存储器领域空白。...

分类:业界动态 时间:2018/4/13 阅读:209 关键词:NAND闪存芯片

苹果或或首次应用中国闪存芯片?国产化进程有望加速

受“和长江存储谈判,或首次应用中国闪存芯片”消息影响,2月22日,芯片国产化指数大涨3.51%,紫光国芯、阿石创等多只芯片概念股应声涨停。中国证券报记者向长江存储相关负责人进行电话求证,其表示“目前仍处于保密期,暂时无可奉告。”...

分类:名企新闻 时间:2018/2/27 阅读:106 关键词:苹果闪存芯片

闪存芯片技术

一种新技术闪存芯片容量高达64GB晟碟推出

随着技术的成熟各个公司飞跃推出各种高端存储设备的。晟碟经过长期的研究,推出了一种新的先进闪存芯片生产技术,旨在进一步帮助芯片生产商提高利润。晟碟表示以第一时间向零售商供应采用这项名为X4的新技术的数据存储卡,这种存储卡包含...

新品速递 时间:2011/9/3 阅读:1753

意法半导体推出128Mb串行闪存芯片M25P128

意法半导体(ST)推出128Mb串行闪存芯片M25P128,主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb),同时据称是这个市场上同一密度级别的第一个串行闪

新品速递 时间:2007/12/19 阅读:3158

三星用30nm工艺研制全球首个64G闪存芯片

北京时间10月23日硅谷动力网站从国外媒体处获悉:全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布,已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。三星电子公司表示,他们利用三十纳米的最先进的半导体工艺...

新品速递 时间:2007/12/15 阅读:1793

三星开发出30纳米NAND闪存芯片 09年量产

CNET科技资讯网10月24日国际报道本周二,三星表示已经开发了一种更先进的闪存芯片。该芯片将能够提高MP3播放机等数码产品的存储容量。三星公布了采用30纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。三星在一份声明中说,这种闪存芯片是提高闪存芯片存储...

新品速递 时间:2007/12/15 阅读:1438

比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM

据外电报道,三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片,据称这种新内存可更快储存新数据,从而可使数码设备工作更快。新产品属于阶段变化随机读取内存(PRAM),芯片是非易失性的,这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三...

新品速递 时间:2007/12/14 阅读:1476

ST推出128Mb串行闪存芯片 面向PC和消费电子应用

意法半导体推出了新的128Mb串行闪存芯片M25P128,新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb),同时据称还是这个市场上同一密度级别的第一个

新品速递 时间:2007/12/12 阅读:1709

东芝16GB嵌入式NAND闪存芯片符合eMMC标准

东芝公司(ToshibaCorp.)近日与其美洲子公司东芝美国电子元件公司(ToshibaAmericaElectronicComponents,Inc.)联合宣布,该公司已经推广了一种新型嵌入式NAND闪存系列产品,这一系列产品遵从了eMMC标准

新品速递 时间:2007/12/12 阅读:1664

ST推出高性能128兆位串行闪存芯片

世界最大的串行闪存供应商*意法半导体推出了新的128-Mbit串行闪存芯片M25P128,新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128-Mbit的产品...

新品速递 时间:2007/12/5 阅读:1692

意法发布新款32兆位闪存芯片M25PX32,存储段和子存储段可擦除(图)

世界最大的串口闪存供应商意法半导体发布一个新的32兆位闪存芯片M25PX32—存储段和子存储段可擦除的双输入输出引脚的串口闪存系列产品的首款产品。虽然现有的M25PE系列产品...

新品速递 时间:2007/11/27 阅读:1451

ST发布新的32兆位闪存芯片M25PX32

意法半导体发布一个新的32兆位闪存芯片M25PX32—存储段和子存储段可擦除的双输入输出引脚的串口闪存系列产品的首款产品。虽然现有的M25PE系列产品的存储粒度已经很高,但是...

新品速递 时间:2007/11/26 阅读:978

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