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闪存芯片

闪存芯片资讯

内存闪存芯片明年全面实现国产,芯片厂将作为“先锋”

近几年间,全球内存闪存芯片不断走高,购买电脑,手机的成本不断增加,让消费者苦不堪言。最近据中国台湾电子时报网站引述业内人士称2019年中国将有三家存储芯片场竣工并投...

分类:行业趋势 时间:2018/7/23 阅读:0 关键词:内存 闪存 芯片 国产 

内存疯涨将告一段落 NAND/DRAM降价潮并没有来

根据Gartner的报告显示,在过去的2017年中,三星已经成功取代英特尔,抢下了全球最大芯片制造商的宝座。要知道,英特尔从1992年就一直占据着这一宝座,如今被三星超越实在...

分类:行业趋势 时间:2018/5/4 阅读:0 关键词:内存 闪存芯片 DRAM 

主板原材料集体涨价,导致主板成本至少增加10-20元

今日报道,由于主板原材料报价集体飙升,其中电容最贵涨了30倍,最后导致主板终于也要涨价了,据悉一块主板的成本目前至少增加了10-20元。  虽然说AMD Ryzen的崛起让今年...

分类:维库行情 时间:2017/12/11 阅读:617 关键词:主板 闪存芯片 显卡 

竞购东芝闪存芯片业务一事 苹果依旧不死心

据外电报道,在存储芯片业务的竞购之争中,原本已被边缘化的苹果再度成为核心主角之一。消息人士周三透露,苹果此次计划出资3000亿日元(约合27.3亿美元),携手贝恩资本共同...

分类:业界动态 时间:2017/8/31 阅读:110 关键词:东芝 闪存芯片 苹果 

发财报、重启谈判 东芝芯片业务或归富士康?

东芝2016财年财报虽姗姗来迟但终于获得审计机构确认避免了被退市。报告显示,在截至3月31日的2016财年中,公司营收为4.8万亿日元(约合436亿美元),净亏损9657亿日元(约...

分类:名企新闻 时间:2017/8/11 阅读:139 关键词:东芝 闪存芯片 富士康 

传被SK海力士超车 三星投180亿扩充芯片市场

韩媒etnews 4日报导,业界消息证实,SK海力士第四代72层的3D NAND进入量产,主要用于移动装置,并已交货给客户。SK海力士4月份才宣布研发出72层3D NAND,3个月内就进入量产...

分类:业界动态 时间:2017/7/5 阅读:254 关键词:SK海力士 三星 存储芯片 闪存芯片 3D NAND 

急于自救 东芝终于对西部数据“松口”

和已经卖身的夏普,与持续亏损的索尼一样,142岁的日企巨头东芝,也正面临财务危机。2016财年合并报表暂定值显示,东芝预期净亏损达9500亿日元(约85亿美元)。为了挽救糟...

分类:业界动态 时间:2017/6/26 阅读:102 关键词:东芝 闪存芯片 西部数据 

东芝倾向于将闪存芯片业务卖给美日韩联合体

6月20日消息,据国外媒体报道,东芝预计将在月底决定业务的最终买家,而此前出价最高的由富士康和苹果等企业组成的竞购团,有可能在竞购中白忙活一场,因为外媒的消息显示...

分类:名企新闻 时间:2017/6/21 阅读:273 关键词:东芝 闪存芯片 半导体 

三星/SK海力士扩产加速 正奋力追赶的中国存储产业还有戏吗?

据The Investor网站北京时间4月12日报道,三星电子将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。新设施是全球规模最大的芯片工厂,占地289万平方米。三星将在该...

分类:业界动态 时间:2017/4/13 阅读:166 关键词:中国 存储 

闪存芯片厂商兆易创新上市首日暴涨43.98%

根据公告,北京兆易创新科技股份有限公司于8月18日登陆上交所主板。公司首次公开发行不超过2,500万,本次发行价格为23.26元/股,发行市盈率为16.41倍,股票简称为“兆易创新”,股票代码为“603986”。闪存芯片厂商兆易创新上市首日暴涨...

分类:名企新闻 时间:2016/8/19 阅读:328 关键词:厂商 

闪存芯片技术

意法半导体推出128Mb串行闪存芯片M25P128

意法半导体(ST)推出128Mb串行闪存芯片M25P128,主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb),同时据称是这个市场上同一密度级别的第一个串行闪

新品速递 时间:2007/12/19 阅读:3084

三星用30nm工艺研制全球首个64G闪存芯片

北京时间10月23日硅谷动力网站从国外媒体处获悉:全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布,已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。三星电子公司表示,他们利用三十纳米的最先进的半导体工艺...

新品速递 时间:2007/12/15 阅读:1755

三星开发出30纳米NAND闪存芯片 09年量产

CNET科技资讯网10月24日国际报道本周二,三星表示已经开发了一种更先进的闪存芯片。该芯片将能够提高MP3播放机等数码产品的存储容量。三星公布了采用30纳米工艺的64G位NAND闪存芯片。三星在一份声明中说,这种闪存芯片是提高闪存芯片存储...

新品速递 时间:2007/12/15 阅读:1375

比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM

据外电报道,三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片,据称这种新内存可更快储存新数据,从而可使数码设备工作更快。新产品属于阶段变化随机读取内存(PRAM),芯片是非易失性的,这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三...

新品速递 时间:2007/12/14 阅读:1407

ST推出128Mb串行闪存芯片 面向PC和消费电子应用

意法半导体推出了新的128Mb串行闪存芯片M25P128,新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb),同时据称还是这个市场上同一密度级别的第一个

新品速递 时间:2007/12/12 阅读:1642

东芝16GB嵌入式NAND闪存芯片符合eMMC标准

东芝公司(ToshibaCorp.)近日与其美洲子公司东芝美国电子元件公司(ToshibaAmericaElectronicComponents,Inc.)联合宣布,该公司已经推广了一种新型嵌入式NAND闪存系列产品,这一系列产品遵从了eMMC标准

新品速递 时间:2007/12/12 阅读:1587

ST推出高性能128兆位串行闪存芯片

世界最大的串行闪存供应商*意法半导体推出了新的128-Mbit串行闪存芯片M25P128,新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128-Mbit的产品...

新品速递 时间:2007/12/5 阅读:1591

意法发布新款32兆位闪存芯片M25PX32,存储段和子存储段可擦除(图)

世界最大的串口闪存供应商意法半导体发布一个新的32兆位闪存芯片M25PX32—存储段和子存储段可擦除的双输入输出引脚的串口闪存系列产品的首款产品。虽然现有的M25PE系列产品...

新品速递 时间:2007/11/27 阅读:1370

ST发布新的32兆位闪存芯片M25PX32

意法半导体发布一个新的32兆位闪存芯片M25PX32—存储段和子存储段可擦除的双输入输出引脚的串口闪存系列产品的首款产品。虽然现有的M25PE系列产品的存储粒度已经很高,但是...

新品速递 时间:2007/11/26 阅读:945

ST推出新一代串行闪存芯片 符合汽车环境要求

意法半导体日前推出一个新一代串行闪存芯片。新产品密度范围1到4Mbit,专门为可靠性要求极高的汽车应用而设计。新的M25P10-A、M25P20和M25P40存储器芯片的密度分别为1Mbit...

新品速递 时间:2007/9/30 阅读:1189

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