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VCSEL

VCSEL资讯

VCSEL激光器将有多“疯狂”:看看这家公司股价就知道了

据了解,即将发布的iPhone 8手机将搭载AR功能,主要通过后置的3D激光系统传感器实现。该3D激光传感器将用于人脸识别、增强现实以及自动对焦应用。之前传闻Lumentum和Finisa...

分类:行业趋势 时间:2017/8/12 阅读:256 关键词:VCSEL激光器 iPhone 8 VCSEL 

Maxim推出单芯片VCSEL驱动器和限幅放大器方案

MaximIntegratedProducts推出单芯片VCSEL驱动器和限幅放大器方案MAX3798,用于SFP+光纤通道和以太网。该器件采用Maxim的MBiC3集成电路工艺制造,工作速率大于10Gbps、具有多种接收器和发送器可编程特性、且功

分类:名企新闻 时间:2009/4/22 阅读:1291 关键词:VCSEL Maxim 驱动器 放大器 

安华高科技提升850nm VCSEL技术至10Gb/s

AvagoTechnologies(安华高科技)近日宣布,完成新一代850nm垂直腔表面发射激光器(VCSEL,VerticalCavitySurfaceEmittingLaser)的完整TelcordiaGR-468-CORE认证,这些VCSEL

分类:新品快报 时间:2007/4/29 阅读:641 关键词:安华高 VCSEL 

VCSEL技术

MAX3798:完全集成的低功耗SFP+限幅放大器和VCSEL驱动器

MAX3798为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器,设计用于数据传输率高达8.5Gbps的1倍/2倍/4倍/8倍光纤通道传输系统以及数据传输速率10.3125Gbps的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电,这款低功耗、集成

基础电子 时间:2011/1/24 阅读:1604

VCSEL驱动器/带数字诊断后置放大器—PHY1070

该PHY1070-01是一种结合VCSEL驱动器和限幅内的数字为小尺寸模块使用光纤通道应用诊断监测支持放大器。发送器集成了一个可编程的偏置电流和调制电流通过2线串行接口控制,高速输出级。,平均功率控制回路允许在双方共同阴极和共阳极配置连...

基础电子 时间:2010/12/3 阅读:1352

Maxim推出针对SFP+以太网和光纤通道应用的单芯片VCSEL驱动器

Maxim推出针对SFP+以太网和光纤通道应用的单芯片VCSEL驱动器和双通道限幅放大器方案MAX3799。器件采用Maxim的MBiC3IC制造技术,具有高达14Gbps的性能以及多种可编程的接收...

新品速递 时间:2009/12/10 阅读:1474

Maxim推出业内首款单芯片14G VCSEL驱动器和双通道限幅放大器

Maxim最新的14G驱动器和放大器提供了多种可编程的接收器和发送器特性,功耗仅为320mW。SUNNYVALE,CA。2009年11月11日。MaximIntegratedProducts(NASDAQ:MXIM)推出针对SFP...

新品速递 时间:2009/11/23 阅读:2701

Maxim推单芯片VCSEL驱动器和限幅放大器

Maxim推出单芯片VCSEL驱动器和限幅放大器方案MAX3798,用于SFP+光纤通道和以太网。该器件采用Maxim的MBIC3集成电路工艺制造,工作速率大于10Gbps、具有多种接收器和发送器可编程特性、且功耗仅为320mW。MAX3798集两

新品速递 时间:2009/10/30 阅读:2568

SEED智能像素与VCSEL智能像素比较

SEED智能像素与VCSEL智能像素相比较,在设计灵活性方面,SEED智能像素具有优势,因为可用通过加大电源和光源功率来减小开关时间。SEED器件在智能像素中既用做光探测器,又用做光调制器,具有较好的多功能性。在高密度集成能力方面SEED智...

基础电子 时间:2008/12/4 阅读:1146

半导体VCSEL选择氧化型

选择氧化技术最初是应用于边发射激光器领域中,后来才被引入到VCSEL的制作中,如图1所示。其原理是将高A1组分的A1,Ga; ̄,As在350~500℃下与水汽反应生成化学性质稳定、...

基础电子 时间:2008/12/3 阅读:3608

半导体VCSEL再生长型

制作折射率导引型结构的VCSEL,需要改变光腔周围的折射率。这可以通过刻蚀/再生长工艺来实现,其基本原理就是在光腔周围生成一个新的半导体材料(折射率也随之变化),起...

基础电子 时间:2008/12/3 阅读:1255

半导体VCSEL离子注入型

离子注入工艺就是用高能离子注入设各把具有一定能量的带电粒子掺入到半导体材料中,从而改变半导体材料的电学性质和光学性质。离子从上DBR处注入,与晶体内的电子和原子核...

基础电子 时间:2008/12/3 阅读:2764

半导体VCSEL刻蚀空气柱型

对载流子进行横向限制,最简单的方法就是将器件的谐振腔及上DBR刻蚀成柱型结构,如图所示。最早的全半导体VCSEL就是采用的这种结构。为了除去谐振腔外层的材料,通常都采用...

基础电子 时间:2008/12/3 阅读:1504

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